【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法
本专利技术涉及功率半导体器件
，具体涉及一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。
技术介绍
碳化硅是第三代半导体材料中最具吸引力的材料之一，具有临界电场大、禁带宽度大、高温电子漂移速度高等优点，因此，广泛应用于制作高温、高压、大功率、耐辐照等半导体器件；其中，碳化硅肖特基二极管在电力电子技术中具有整流和续流的作用，因而广泛应用于功率变换电路中。目前，碳化硅肖特基二极管大多是采用离子注入技术，并与光刻、刻蚀等工艺结合实现面内可控区域注入；由于碳化硅掺杂剂扩散所需的温度极高，超过2300K，因此，高温离子注入是碳化硅肖特基二极管主要掺杂形成的必要过程。现有的碳化硅肖特基二极管P型结以及结终端是由多次垂直高温离子注入及高温退火激活形成，为了防止有源区边缘的电场过于集中，通常采用高温离子注入技术将离子注入在有源区边缘，形成结终端。当器件处于反偏状态时，耗尽区会随着反向电压的不断增大而逐渐发生纵向与横向的扩展，但是，垂直注入方式会使得P型结区边缘凹凸不平，导致注入结边缘的电场强度过...
【技术保护点】
1.一种肖特基二极管，包括基底，其特征在于，还包括：/n若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；/n连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。/n
【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，包括基底，其特征在于，还包括：
若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；
连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二端部为球形端部或者椭圆形端部。
3.根据权利要求1或2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述基底包括碳化硅衬底及设置其上的碳化硅外延层，所述P型结设置于所述碳化硅外延层上；
所述碳化硅外延层包括有源区及位于有源区至少一侧的终端区。
4.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，位于所述终端区的碳化硅外延层上设置二氧化硅层；
位于所述有源区的碳化硅外延层上设置第一电极，所述第一电极边缘朝向所述二氧化硅层延伸形成延伸部，所述延伸部覆盖部分二氧化硅层。
5.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括，
钝化层，至少覆盖部分延伸部和至少覆盖部分二氧化硅层，以保护终端区；第二电极，设置于所述基底远离所述P型结的一侧上。
6.一种权利要求1-5任一项所述肖特基二极管的制备方法，包括如下步骤：
围绕基底一侧的盲孔旋转并同时向所述盲孔内进行离子注入，以在所述盲孔内形成P型结，在离子注入的过程中，离子注入的...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜春艳，吴昊，田亮，吴军民，潘艳，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，国网山东省电力公司，国家电网有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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