一种纯黑组件单晶PERC电池及其制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种纯黑组件单晶PERC电池及其制备工艺，包括硅片本体以及设置在硅片本体正面和背面的膜层结构，制备工艺具有以下步骤，1)对单晶硅片进行前段工艺处理，直至硅片背面抛光结束；2)在硅片正面通过管式热氧化方式生长一层SiO

A single crystal perc battery with pure black module and its preparation process

【技术实现步骤摘要】
一种纯黑组件单晶PERC电池及其制备工艺
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其是一种纯黑组件单晶PERC电池及其制备工艺。
技术介绍
常规的太阳能电池的工艺流程一般为：制绒→扩散→SE(或无)→刻蚀→热氧化(或臭氧)→氧化铝钝化→PECVD背膜→PECVD正膜→激光开槽→丝网印刷，或者为：制绒→扩散→SE(或无)→刻蚀→热氧化(或臭氧)→氧化铝背膜一体→PECVD正膜→激光开槽→丝网印刷。目前市场上主流的PERC电池片用于白背板层压，但是由于客户对组件外观要求越来越高，需求为黑色背板层压的全黑组件，因此目前市场上大部分的PERC电池均不能满足全黑组件效果。其主要原因是：硅片背面SiNx膜层绕镀，硅片正面膜层偏蓝等。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：提供一种纯黑组件单晶PERC电池及其制备工艺，能够使电池正面膜色均匀发黑，匹配黑背板层压后可为纯黑组件。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种纯黑组件单晶PERC电池及其制备工艺，包括以下步骤，1)对单晶硅片进行前段工艺处理，直至硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纯黑组件单晶PERC电池制备工艺，其特征在于：包括以下步骤，/n1)对单晶硅片进行前段工艺处理，直至硅片背面抛光结束；/n2)在硅片正面通过管式热氧化方式生长一层SiO

【技术特征摘要】
1.一种纯黑组件单晶PERC电池制备工艺，其特征在于：包括以下步骤，
1)对单晶硅片进行前段工艺处理，直至硅片背面抛光结束；
2)在硅片正面通过管式热氧化方式生长一层SiO2，厚度为1-3nm，温度600℃-750℃，时间30-60min；
3)采用ALD模式进行单面氧化铝原子沉积，在硅片背面生长一层致密氧化铝，氧化铝厚度2-5nm；
4)在硅片正面进行镀膜，膜层为多层膜，包括底层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiOx层，所述的多层膜的总膜厚为70-90nm，折射率为1.9-2.1；
5)在硅片背面进行镀膜，膜层为多层膜，包括底层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiOx层，所述的多层膜总膜厚为100-200nm，折射率为1.9-2.1；
6)进行背面激光开槽、丝网印刷烧结、分选，最后进行黑背板层压，即得到全黑组件。


2.如权利要求1所述的一种纯黑组件单晶PERC电池制备工艺，其特征在于：所述的步骤4)中，底层SiOx层的折射率为1.4-1.65，厚度为5-30nm；中间层为单层或多层SiNx层，总膜厚为30-70nm，折射率为1.9-2.3；顶层SiOx层的折射率为1.4-1.65，厚度为10-40nm。


3.如权利要求1所述的一种纯黑组件单晶PERC电池制备工艺，其特征在于：所述的步骤5)中，底层SiOx层的折射率为1.4-1.65，厚度为5-25nm；中间层为单层或多层SiNx层，总膜厚为40-80nm，折射率为1.9-2.3；顶层为单层或多层SiNx层，总膜厚为40-80nm，折射率为1.9-2.3。


4.一种纯黑组件单晶PERC电池，具有硅片本体，其特征在于：所述的硅片本体的正面自下而上分别设置有热氧化SiOx层、管式PECVD正面镀膜底层S...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘斌，黄辉巍，陈正飞，杨红进，
申请(专利权)人：江苏顺风新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32