半导体器件的制造方法技术

半导体器件(12)的制造方法具备：在晶片(11)的主面(11a)的第一区域(15)形成多个半导体器件(12)的工序；在主面(11a)的与第一区域(15)不同的第二区域(16)形成多个切开起点部(20a‑20g)的工序；以及从多个切开起点部(20a‑20g)中的相对难以切开的切开起点部(20d)起按顺序以多个切开起点部(20a‑20g)为起点切开晶片(11)的工序。形成多个切开起点部(20a‑20g)的工序包括：通过对第二区域(16)的一部分进行刻蚀而形成多个第一槽(20a‑20g)。因此，能够使半导体器件的出产率和制造效率提高。

Manufacturing methods of semiconductor devices

The manufacturing method of the semiconductor device (12) comprises the following steps: forming a plurality of semiconductor devices (12) in the first region (15) of the main surface (11a) of the chip (11); forming a plurality of cutting start points (20a \u2011 20g) in the second region (16) different from the first region (15) of the main surface (11a); and forming a plurality of cutting start points (20d) in sequence from the relatively difficult cutting start points (20a \u2011 20g) of the plurality of cutting start points (20d) The starting point (20a \u2011 20g) is the process of cutting the wafer (11). The process of forming a plurality of cutting starting points (20a \u2011 20g) includes: forming a plurality of first grooves (20a \u2011 20g) by etching a part of the second region (16). Therefore, the productivity and manufacturing efficiency of semiconductor devices can be improved.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体器件的制造方法。
技术介绍
日本特开平11-274653号公报(专利文献1)公开了晶片的切开方法。专利文献1公开的晶片的切开方法具备：通过对晶片的一部分进行划线而在晶片上形成长度彼此不同的多条划痕的工序、以及按从相对较长的划痕到相对较短的划痕的顺序切开晶片的工序。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-274653号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在按照专利文献1公开的晶片切开方法切开晶片时，随着晶片的切开次数增加，晶片的尺寸变小，在切开晶片时作用于划痕的弯曲应力减少。另外，随着晶片的切开次数增加，成为切开起点的划痕的长度减小。因此，随着晶片的切开次数增加，变得难以将晶片切开，有时无法切开晶片。因此，半导体器件的出产率及制造效率下降。并且，当利用划线在晶片上形成多条划痕时，有可能以划痕为起点而在晶片上产生龟裂。该龟裂沿不规则的方向延伸。因此，晶片的切开方向从预定的方向偏移，半导体器件的出产率下降。本专利技术鉴于上述课题而作出，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其中，/n所述半导体器件的制造方法具备在晶片的主面的第一区域形成多个半导体器件的工序，所述多个半导体器件沿着第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向排列，/n所述半导体器件的制造方法还具备在所述主面的与所述第一区域不同的第二区域形成多个切开起点部的工序，所述多个切开起点部沿着所述第二方向配置，所述多个切开起点部具有彼此不同的切开难度，形成所述多个切开起点部的工序包括：通过对所述第二区域的一部分进行刻蚀而形成多个第一槽，所述多个第一槽分别沿着所述第一方向延伸，/n所述半导体器件的制造方法还具备从所述多个切开起点部中的、相对难以切开的切开起点部起按顺序以所述多个切开起点...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170424 JP 2017-0853981.一种半导体器件的制造方法，其中，
所述半导体器件的制造方法具备在晶片的主面的第一区域形成多个半导体器件的工序，所述多个半导体器件沿着第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向排列，
所述半导体器件的制造方法还具备在所述主面的与所述第一区域不同的第二区域形成多个切开起点部的工序，所述多个切开起点部沿着所述第二方向配置，所述多个切开起点部具有彼此不同的切开难度，形成所述多个切开起点部的工序包括：通过对所述第二区域的一部分进行刻蚀而形成多个第一槽，所述多个第一槽分别沿着所述第一方向延伸，
所述半导体器件的制造方法还具备从所述多个切开起点部中的、相对难以切开的切开起点部起按顺序以所述多个切开起点部为起点切开所述晶片的工序。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述多个切开起点部是所述多个第一槽，
所述多个第一槽的第一深度及所述多个第一槽的第一长度中的至少一个彼此不同，所述第一深度是与所述主面垂直的第三方向上的所述多个第一槽的长度，所述第一长度是所述第一方向上的所述多个第一槽的长度，
切开所述晶片的工序包括：从所述多个第一槽中的、所述第一深度及所述第一长度的所述至少一个相对较小的第一槽起按顺序以所述多个第一槽为起点切开所述晶片。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述多个切开起点部是至少一部分由填充构件填充的所述多个第一槽，
所述多个第一槽的第一深度及所述多个第一槽的第一长度中的至少一个彼此不同，所述第一深度是与所述主面垂直的第三方向上的所述多个第一槽的长度，所述第一长度是所述第一方向上的所述多个第一槽的长度，
形成所述多个切开起点部的工序还包括：将所述填充构件填充于所述多个第一槽的所述至少一部分，所述多个第一槽内的所述填充构件的第二深度及第二长度中的至少一个在所述多个切开起点部之间不同，所述第二深度是所述第三方向上的所述填充构件的长度，所述第二长度是所述第一方向上的所述填充构件的长度，
随着所述多个第一槽的所述第一深度及所述第一长度的所述至少一个变小，所述填充构件的所述第二深度及所述第二长度的所述至少一个增加。


4.根据权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其中，
切开所述晶片的工序包括：在所述晶片的所述第二方向上的中央部切开所述晶片而得到两块分割后的所述晶片；以及进行一次以上的如下动作，即：在所述分割后的晶片的所述第二方向上的中央部将所述分割后的晶片切开。

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川兼司，根岸将人，铃木正人，吉野达郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP