The invention discloses an electric pumped deep UV AlGaN semiconductor laser, which has a structure including a body and a laser. The laser is provided with a support foot, a key plate and a light beam adjuster. The beneficial effect of the invention is that the rotator can drive the driving teeth to push the wheel on the take-up device to rotate during the rotation process, so as to drive the rotary rod to wind and contract the pull rope, and the pull rope can be retracted In the process of shrinking, pull the rubber band to pull the rope around, so as to expand the diameter of the rubber band. The outer ring of the rubber band is blocked by the shading net, so as to ensure that the light beam can only shine through the beam hole, so as to align the scale on the scale plate according to the required diameter of the light point, so as to make the diameter of the light point accurate to a certain value, so that the laser can adjust the cutting during the photolithography At the same time, by reducing the diameter of light spot, the length of lithography can be further accurate, and the accuracy of laser lithography can be improved.
【技术实现步骤摘要】
一种电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器
本专利技术涉及半导体领域,具体地说是一种电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器。
技术介绍
半导体是一种绝缘体至导体之间的材料,具有可控性,在科技和经济高速发展的今天,半导体具有不可忽视的重要性,现如今大部分的电子产品都和半导体有着极为密切的关连,当紫外线被应用于半导体上时,能够用于拉曼光谱、表面污染检视、光刻和激光记录等,用途广泛。针对目前的电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器,针对以下存在的问题制定了相对的方案:因为现有的电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器在进行使用时,激光器的位置和角度的静态对齐限度与光束有着密切关系,光点的直径也影响着激光器的工作效果,尤其在利用激光器进行光刻时,光点的直径影响了光刻的长度偏差,而激光器在光束的直径调节上尚有不足,无法根据需要进行光点直径的精确调节。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服现有技术的不足,提供一种电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器。本专利技术采用如下技术方案来实现:一种电泵浦深紫外半导体激光器,其结构包括机体、激光器,所述机体通过螺栓连接于激光器底部,所述激光器通过螺栓连接于机体上表面,所述机体设有控制面板,所述控制面板通过螺栓连接于机体外表面;所述激光器设有支撑脚、按键板、光束调节器,所述支撑脚通过螺栓连接于机体与激光器之间,所述按键板通过螺栓连接于激光器外表面上,所述光束调节器通过螺栓连接于激光器外表面。作为优化,所述光束调节器设有刻度板、旋转器、收线器、直径收缩器,所 ...
【技术保护点】
1.一种电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器,其结构包括机体(1)、激光器(2),所述机体(1)通过螺栓连接于激光器(2)底部,所述激光器(2)通过螺栓连接于机体(1)上表面,其特征在于:/n所述机体(1)设有控制面板(10),所述控制面板(10)通过螺栓连接于机体(1)外表面;/n所述激光器(2)设有支撑脚(20)、按键板(21)、光束调节器(22),所述支撑脚(20)通过螺栓连接于机体(1)与激光器(2)之间,所述按键板(21)通过螺栓连接于激光器(2)外表面上,所述光束调节器(22)通过螺栓连接于激光器(2)外表面。/n
【技术特征摘要】
1.一种电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器,其结构包括机体(1)、激光器(2),所述机体(1)通过螺栓连接于激光器(2)底部,所述激光器(2)通过螺栓连接于机体(1)上表面,其特征在于:
所述机体(1)设有控制面板(10),所述控制面板(10)通过螺栓连接于机体(1)外表面;
所述激光器(2)设有支撑脚(20)、按键板(21)、光束调节器(22),所述支撑脚(20)通过螺栓连接于机体(1)与激光器(2)之间,所述按键板(21)通过螺栓连接于激光器(2)外表面上,所述光束调节器(22)通过螺栓连接于激光器(2)外表面。
2.根据权利要求1所述的一种电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器,其特征在于:所述光束调节器(22)设有刻度板(220)、旋转器(221)、收线器(222)、直径收缩器(223),所述刻度板(220)嵌设于旋转器(221)两端,旋转器(221)嵌设于刻度板(220)之间,所述收线器(222)嵌设于旋转器(221)内部,所述直径收缩器(223)嵌设于旋转器(221)内部。
3.根据权利要求2所述的一种电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器,其特征在于:所述刻度板(220)设有刻度(A)、滑槽(B),所述刻度(A)均匀分布于刻度板(220)外表面上,所述滑槽(B)嵌设于刻度板(A)底部。
4.根据权利要求2所述的一种电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器,其特征在于:所述...
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