封装结构制造技术

一种本发明专利技术的封装结构，若干半导体芯片倒装在基板的正面上；包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及底填充层侧面表面的第一屏蔽层，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状；位于所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层；位于所述基板的背面的与输出端口连接的外部接触结构。所述椭球状表面的第一屏蔽层本身能均匀和完整的覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，并且在第一屏蔽层的椭球状表面形成第二屏蔽层时，第二屏蔽层也不会出现厚度不均匀以及边缘覆盖不好的问题，从而使得第一屏蔽层和的第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果。

Packaging structure

A packaging structure of the invention, a plurality of semiconductor chips are upside down installed on the front side of the substrate, a first shielding layer covering the non functional surface and side wall surface of the semiconductor chip and the side surface of the bottom filling layer, and the surface of the first shielding layer is ellipsoid, a second shielding layer on the first shielding layer, an outer connecting with the output port on the back side of the substrate Part contact structure. The first shielding layer of the ellipsoidal surface can uniformly and completely cover the nonfunctional surface and the side wall surface of the semiconductor chip, and when the second shielding layer is formed on the ellipsoidal surface of the first shielding layer, the second shielding layer will not have the problems of uneven thickness and poor edge coverage, so that the first shielding layer and the second shielding layer constitute the overall screen The shielding layer is complete, which improves the shielding effect.

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本专利技术涉及半导体制作领域，尤其涉及一种具有电磁屏蔽的封装结构。
技术介绍
新一代电子产品的飞速发展，推动集成电路封装也在向高密度、高频率、微型化、高集成的方向发展，而高频芯片往往会产生较强的电磁波，对封装内外及芯片造成不期望的干扰或噪声；加上电子部件密度越来越高，传输线路的距离越来越近，使得来自集成电路封装内外的电磁干扰问题也日益严重，同时会降低集成电路的品质、寿命等。在电子设备及电子产品中，电磁干扰(ElectromagneticInterference)能量通过传导性耦合和辐射性耦合来进行传输。为满足电磁兼容性要求，对传导性耦合需采用滤波技术，即采用EMI滤波器件加以抑制；对辐射性耦合则需采用屏蔽技术加以抑制。在当前电磁频谱日趋密集、单位体积内电磁功率密度急剧增加、高低电平器件或设备大量混合使用等因素而导致设备及系统电磁环境日益恶化的情况下，其重要性就显得更为突出。现有的一种电磁屏蔽解决方案，主要是在半导体封装结构上设置一个磁场屏蔽层，用于屏蔽芯片间的电磁干扰，但是现有的电磁屏蔽的效果仍有待提升。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是在怎样提高现有的封装结构的电磁屏蔽效果。本专利技术提供了一种封装结构，包括：基板，所述基板中具有若干线路结构，基板的正面具有若干输入端口，基板的背面具有若干输出端口，所述输入端口和输出端口分别与相应的线路结构连接；倒装在基板的正面上的若干半导体芯片，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相对的非功能面，所述功能面上具有若干焊盘，所述焊盘上具有金属凸块，所述每个半导体芯片上的金属凸块与基板的正面上对应的输入端口连接；位于所述半导体芯片的功能面和基板的正面表面之间的底填充层；包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及底填充层侧面表面的第一屏蔽层，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状；位于所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层；位于所述基板的背面的与输出端口连接的外部接触结构。可选的，所述第一屏蔽层通过点胶工艺或网板印刷工艺形成；所述第二屏蔽层通过溅射、选择性电镀工艺、点胶工艺或网板印刷工艺形成。可选的，所述第一屏蔽层的材料为焊料或导电银胶，所述第二屏蔽层的材料为铜、钨、铝、焊料或导电银胶。可选的，还包括：位于所述半导体芯片非功能面和侧壁表面的中间材料层，所述中间材料层具有椭球状的表面；所述第一屏蔽层位于所述中间材料层表面，所述第一屏蔽层也具有椭球状的表面。可选的，所述第一屏蔽层为磁场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为电场屏蔽层；或者所述第一屏蔽层为电场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为磁场屏蔽层。可选的，所述电场屏蔽层的材料为铜、钨、铝；所述磁场屏蔽层的材料为CoFeB合金、CoFeTa、NiFe、Co、CoFe、CoPt或者Ni、Co和Fe的合金。可选的，所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层，所述底部屏蔽层覆盖半导体芯片的整个功能面，所述底部屏蔽层的四周边缘与半导体芯片的四周侧壁齐平，若干焊盘贯穿底部屏蔽层，焊盘与底部屏蔽层之间通过隔离层隔离；所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接。可选的，所述外部接触结构为焊球，或者所述外接触结构包括金属柱和位于金属柱上的焊球。可选的，还包括：位于所述基板中的导电接触结构，所述导电接触结构与第一屏蔽层电连接。本专利技术还提供了一种将前述所述的封装结构进行分割后形成的独立的封装结构，包括：基板，所述基板中具有线路结构，基板的正面具有若干输入端口，基板的背面具有若干输出端口，所述输入端口和输出端口分别与线路结构连接；倒装在基板的正面上的半导体芯片，所述半导体芯片包括功能面和与功能面相对的非功能面，所述功能面上具有若干焊盘，所述焊盘上具有金属凸块，所述每个半导体芯片上的金属凸块与基板的正面上对应的输入端口连接；位于所述半导体芯片的功能面和基板的正面表面之间的底填充层；包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及底填充层侧面表面的第一屏蔽层；位于所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层位于所述基板的背面的与输出端口连接的外部接触结构。与现有技术相比，本专利技术技术方案具有以下优点：本专利技术的封装结构，若干半导体芯片倒装在基板的正面上；包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及底填充层侧面表面的第一屏蔽层，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状；位于所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层；位于所述基板的背面的与输出端口连接的外部接触结构。所述椭球状表面的第一屏蔽层本身能均匀和完整的覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，并且在第一屏蔽层的椭球状表面形成第二屏蔽层时，第二屏蔽层也不会出现厚度不均匀以及边缘覆盖不好的问题，从而使得第一屏蔽层和的第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果。并且，实现了基板与具有第一屏蔽层和第二屏蔽层的半导体芯片的集成封装。进一步，在所述半导体芯片的非功能面和侧壁的表面形成中间材料层，所述中间材料层具有椭球状的表面；在中间材料层表面形成第一屏蔽层，所述第一屏蔽层也具有椭球状的表面。通过形成具有椭球状表面的中间材料层，在中间材料层上可以通过多种工艺形成具有不同材料的第一屏蔽层，且形成的第一屏蔽层也具有椭球型的表面，并且在中间材料层的椭球状的表面上形成第一屏蔽层时，第一屏蔽层不会受到尖角或者陡峭侧壁的影响，使得形成第一屏蔽层中不会出现厚度不均以及边缘覆盖不好的问题，从而提高了屏蔽层的完整性。进一步，所述第一屏蔽层为磁场屏蔽层，则形成的第二屏蔽层为电场屏蔽层；或者所述第一屏蔽层为电场屏蔽层，则形成的第二屏蔽层为磁场屏蔽层，通过形成前述的结构的第一屏蔽层和第二屏蔽层，使得第一屏蔽层和第二屏蔽层分别针对电场或磁场进行屏蔽，从而提高了屏蔽层的屏蔽效果，并且所述第二屏蔽层能覆盖所述第一屏蔽层中厚度不均匀以及边缘覆盖不好的地方，从而使得第一屏蔽层和第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，进一步提高了屏蔽的效果。进一步，所述形成外部接触结构后，切割所述预封面板，形成若干分离的封装结构，因而实现具有第一屏蔽层和第二屏蔽层的封装结构的批量制作，提高了生产的效率。进一步，所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层，所述底部屏蔽层覆盖半导体芯片的整个功能面，所述底部屏蔽层的四周边缘与半导体芯片的四周侧壁齐平，若干焊盘贯穿底部屏蔽层，焊盘与底部屏蔽层之间通过隔离层隔离；在形成所述第一屏蔽层时，所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接。即本实施例中不仅在形成第一屏蔽层后，在第一屏蔽层上还会形成第二屏蔽层，因而所述第二屏蔽层能够覆盖所述第一屏蔽层中厚度不均匀以及边缘覆盖不好的地方，从而使得第一屏蔽层和第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果，并且由于所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层，在形成所述第一屏蔽层时，所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接，从而使得封装结构中的半导体芯片被底层屏蔽层和第一屏蔽层完全或全方位的包覆，因而电场和磁场不能通过封装结构的底部进入封装结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：/n基板，所述基板中具有若干线路结构，基板的正面具有若干输入端口，基板的背面具有若干输出端口，所述输入端口和输出端口分别与相应的线路结构连接；/n倒装在基板的正面上的若干半导体芯片，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相对的非功能面，所述功能面上具有若干焊盘，所述焊盘上具有金属凸块，所述每个半导体芯片上的金属凸块与基板的正面上对应的输入端口连接；/n位于所述半导体芯片的功能面和基板的正面表面之间的底填充层；/n包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及底填充层侧面表面的第一屏蔽层，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状；/n位于所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层；/n位于所述基板的背面的与输出端口连接的外部接触结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
基板，所述基板中具有若干线路结构，基板的正面具有若干输入端口，基板的背面具有若干输出端口，所述输入端口和输出端口分别与相应的线路结构连接；
倒装在基板的正面上的若干半导体芯片，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相对的非功能面，所述功能面上具有若干焊盘，所述焊盘上具有金属凸块，所述每个半导体芯片上的金属凸块与基板的正面上对应的输入端口连接；
位于所述半导体芯片的功能面和基板的正面表面之间的底填充层；
包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面以及底填充层侧面表面的第一屏蔽层，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状；
位于所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层；
位于所述基板的背面的与输出端口连接的外部接触结构。


2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一屏蔽层通过点胶工艺或网板印刷工艺形成；所述第二屏蔽层通过溅射、选择性电镀工艺、点胶工艺或网板印刷工艺形成。


3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一屏蔽层的材料为焊料或导电银胶，所述第二屏蔽层的材料为铜、钨、铝、焊料或导电银胶。


4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于所述半导体芯片非功能面和侧壁表面的中间材料层，所述中间材料层具有椭球状的表面；所述第一屏蔽层位于所述中间材料层表面，所述第一屏蔽层也具有椭球状的表面。


5.如权利要求1或4所述的封装结构，其特征在于，所述第一屏蔽层为磁场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为电场屏蔽层；或者所述第一屏蔽层为电场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为磁场屏蔽层。


6.如权利要求5所述的封装结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洪辉，缪小勇，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32