半导体模块制造技术

本发明专利技术涉及的半导体模块，包括：裸片焊盘框；半导体芯片，配置在裸片焊盘框的上端面上的芯片区域上，并且上端面配置有第一电极，下端面配置有第二电极；裸片焊盘用导电性连接构件，位于半导体芯片的第二电极与裸片焊盘框的上端面之间，用于将半导体芯片的第二电极与裸片焊盘框的上端面电连接；以及封装树脂，用于封装半导体芯片、裸片焊盘框、以及裸片焊盘用导电性连接构件。

Semiconductor module

The semiconductor module of the invention includes: a bare pad frame; a semiconductor chip, which is arranged on the chip area on the upper end surface of the bare pad frame, and the upper end surface is provided with a first electrode, and the lower end surface is provided with a second electrode; a conductive connecting member for the bare pad is arranged between the second electrode of the semiconductor chip and the upper end surface of the bare pad frame, which is used to connect the semiconductor core The second electrode of the chip is electrically connected with the upper end face of the bare pad frame; and the packaging resin is used for packaging the semiconductor chip, the bare pad frame, and the conductive connecting member for the bare pad.

【技术实现步骤摘要】
半导体模块
本专利技术涉及一种半导体模块。
技术介绍
以往，有一种半导体模块已被普遍认知，其具备：半导体芯片；通过键合线与该半导体芯片电连接的引线框；用于封装半导体芯片与引线框的封装树脂；以及利用接合材料接合在半导体芯片上的裸片焊盘框(die-padframe)(例如参照特开平06-260572，特开2008-311366等)。这种半导体模块通过在裸片焊盘框的端部设置突起部，从而来提升封装树脂与该裸片焊盘框之间的密合性。然而，在这种半导体模块上，用于配置半导体芯片的裸片焊盘框DF的端部处有时会发生封装树脂H产生裂痕K或剥离的问题(图14、图15)。因此，本专利技术的目的，是提供一种半导体模块，其能够在裸片焊盘框的端部附近一边抑制将半导体芯片与裸片焊盘框电连接的导电性连接构件的流动，一边抑制裸片焊盘框端部处产生的封装树脂的开裂和剥离。
技术实现思路
本专利技术的一种形态涉及的半导体模块，其特征在于，包括：裸片焊盘框；半导体芯片，配置在所述裸片焊盘框的上端面上的芯片区域上，并且上端面配置有第一电极，下端面配置有第二电极；裸片焊盘用导电性连接构件，位于所述半导体芯片的所述第二电极与所述裸片焊盘框的上端面之间，用于将所述半导体芯片的所述第二电极与所述裸片焊盘框的上端面电连接；以及封装树脂，用于封装所述半导体芯片、所述裸片焊盘框、以及所述裸片焊盘用导电性连接构件，其中，所述裸片焊盘框具有：突起部，配置在所述裸片焊盘框的主体的端部的上侧并且从所述裸片焊盘框的所述主体的上端面向与所述裸片焊盘框的所述主体的上端面相平行的方向延伸，用于提高与所述封装树脂之间的密合性，在所述突起部的前端，设置有部分位于比所述突起部的上端面更上方的锁紧部。在所述半导体模块中，进一步包括：第一线夹框，配置在所述半导体芯片的上端面上；以及第一线夹用导电性连接部件，位于所述半导体芯片的所述第一电极与所述第一线夹框的下端面之间，用于将所述半导体芯片的所述第一电极与所述第一线夹框的下端面电连接。在所述半导体模块中，所述锁紧部具有从所述突起部的前端的上端面向上方突出的段差。在所述半导体模块中，所述锁紧部具有从所述突起部的前端的上端面向上方呈阶段性突出的多个段差。在所述半导体模块中，所述锁紧部的上部的高度比所述裸片焊盘用导电性连接构件的上部的高度更高，从而用于封堵所述裸片焊盘用导电性连接构件的流动。在所述半导体模块中，在所述突起部延伸的所述方向上，所述锁紧部的长度比所述突起部中除所述锁紧部以外部分的长度更短。在所述半导体模块中，所述突起部沿所述裸片焊盘框的所述主体的上端面的端部周围连续地配置。在所述半导体模块中，所述锁紧部的端部为矩形或弯曲的形状。在所述半导体模块中，所述锁紧部是通过将所述突起部的前端向上方按压后形成的。在所述半导体模块中，所述封装树脂的线膨胀系数小于所述裸片焊盘框的线膨胀系数，并且，大于所述半导体芯片的线膨胀系数。在所述半导体模块中，所述锁紧部是通过将所述突起部的前端向上方进行多次按压后形成的。在所述半导体模块中，所述半导体芯片的上端面上配置有上端面的面积比所述第一电极更小的第三电极。在所述半导体模块中，进一步包括：第二线夹框，在所述半导体芯片的上端面上与所述第一线夹框邻接配置，并且上端面的面积比所述第一线夹框更小；以及第二线夹用导电性连接部件，用于将所述半导体芯片的所述第三电极与所述第二线夹框的下端面电连接。在所述半导体模块中，所述第一线夹用导电性连接部件、第二线夹用导电性连接部件、以及裸片焊盘用导电性连接构件均为焊锡构件。在所述半导体模块中，所述半导体芯片为MOS晶体管，所述第一电极为所述MOS晶体管的源电极，所述第二电极为所述MOS晶体管的漏电极，所述第三电极为所述MOS晶体管的栅电极。在所述半导体模块中，所述裸片焊盘框的所述突起部上设置有通过激光照射形成的一个或多个激光槽，从而使一个或多个所述激光槽在所述突起部的上端面上沿所述裸片焊盘框的所述主体的端部延伸。在所述半导体模块中，与所述突起部的上端面上的所述激光槽所延伸的长度方向相垂直的所述激光槽的截面形状呈V字形或U字形，所述激光槽中的第一激光槽的底部比所述第一激光槽的宽度的中心更偏向配置有所述半导体芯片的芯片区域一侧。在所述半导体模块中，相对于所述突起部的上端面上形成有所述第一激光槽的槽区域的所述激光照射的方向，从穿过所述突起部的上端面上的所述槽区域的垂直线向所述锁紧部一侧倾斜。在所述半导体模块中，所述突起部的上端面上的与所述激光槽所延伸的长度方向相垂直的所述激光槽的截面形状呈V字形或U字形，所述激光槽中的第二激光槽的底部比所述第二激光槽的宽度的中心更偏向所述锁紧部一侧。在所述半导体模块中，相对于所述突起部的上端面上形成有所述第二激光槽的槽区域的所述激光照射的方向，从穿过所述突起部的上端面上的所述槽区域的垂直线向配置有所述半导体芯片的芯片区域一侧倾斜。在所述半导体模块中，通过所述激光照射，所述激光槽的内端面以及所述激光槽的边缘部被粗糙化，从而在所述裸片焊盘框的上端面上抑制所述裸片焊盘用导电性连接构件的流动扩展。在所述半导体模块中，所述裸片焊盘框具有：第一边、一端与所述第一边相交的第二边、一端与所述第一边的另一端相交的第三边、以及一端与所述第二边的另一端相交且另一端与所述第三边相交的第四边，所述突起部以及所述锁紧部被形成在沿第一、第二、以及第三边的区域上，并且，未被形成在沿所述第四边的区域上，在所述裸片焊盘框的上端面上的沿所述第四边的所述区域上，形成有贯穿所述主体的，并且用于提升与所述封装树脂之间的密合性的贯穿孔，在所述突起部的上端面上，设置有通过所述激光照射形成的所述激光槽，从而使所述激光槽沿所述裸片焊盘框的所述第一、第二、以及第三边延伸，沿所述第四边，在形成有所述贯穿孔的所述区域与所述芯片区域之间，设置有通过激光照射形成的一个或多个追加激光槽。在所述半导体模块中，所述激光槽沿所述裸片焊盘框的所述第一、第二、以及第三边连续形成，所述追加激光槽的数量多于所述激光槽的数量。在所述半导体模块中，所述激光槽与所述追加激光槽相连通，并且将配置有所述半导体芯片的所述裸片焊盘框的芯片区域的外周包围。在所述半导体模块中，构成所述裸片焊盘框的导电性金属材料为：铜材、或在铜材中添加了Sn、Zn、Fe、Cr、Ni中的任意一种异种金属后的合金，所述裸片焊盘框的表面未经过电镀处理。在所述半导体模块中，所述锁紧部的下端面与所述突起部的下端面之间的段差的高度大于所述锁紧部的上端面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体模块，其特征在于，包括：/n裸片焊盘框；/n半导体芯片，配置在所述裸片焊盘框的上端面上的芯片区域上，并且上端面配置有第一电极，下端面配置有第二电极；/n裸片焊盘用导电性连接构件，位于所述半导体芯片的所述第二电极与所述裸片焊盘框的上端面之间，用于将所述半导体芯片的所述第二电极与所述裸片焊盘框的上端面电连接；以及/n封装树脂，用于封装所述半导体芯片、所述裸片焊盘框、以及所述裸片焊盘用导电性连接构件，/n其中，所述裸片焊盘框具有：/n突起部，配置在所述裸片焊盘框的主体的端部的上侧并且从所述裸片焊盘框的所述主体的上端面向与所述裸片焊盘框的所述主体的上端面相平行的方向延伸，用于提高与所述封装树脂之间的密合性，/n在所述突起部的前端，设置有部分位于比所述突起部的上端面更上方的锁紧部，/n所述裸片焊盘框的所述突起部上设置有通过激光照射形成的一个或多个激光槽，使一个或多个所述激光槽在所述突起部的上端面上沿所述裸片焊盘框的所述主体的端部延伸。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体模块，其特征在于，包括：
裸片焊盘框；
半导体芯片，配置在所述裸片焊盘框的上端面上的芯片区域上，并且上端面配置有第一电极，下端面配置有第二电极；
裸片焊盘用导电性连接构件，位于所述半导体芯片的所述第二电极与所述裸片焊盘框的上端面之间，用于将所述半导体芯片的所述第二电极与所述裸片焊盘框的上端面电连接；以及
封装树脂，用于封装所述半导体芯片、所述裸片焊盘框、以及所述裸片焊盘用导电性连接构件，
其中，所述裸片焊盘框具有：
突起部，配置在所述裸片焊盘框的主体的端部的上侧并且从所述裸片焊盘框的所述主体的上端面向与所述裸片焊盘框的所述主体的上端面相平行的方向延伸，用于提高与所述封装树脂之间的密合性，
在所述突起部的前端，设置有部分位于比所述突起部的上端面更上方的锁紧部，
所述裸片焊盘框的所述突起部上设置有通过激光照射形成的一个或多个激光槽，使一个或多个所述激光槽在所述突起部的上端面上沿所述裸片焊盘框的所述主体的端部延伸。


2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：
其中，与所述突起部的上端面上的所述激光槽所延伸的长度方向相垂直的所述激光槽的截面形状呈V字形或U字形，
所述激光槽中的第一激光槽的底部比所述第一激光槽的宽度的中心更偏向配置有所述半导体芯片的芯片区域一侧。


3.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于：
其中，相对于所述突起部的上端面上形成有所述第一激光槽的槽区域的所述激光照射的方向，从穿过所述突起部的上端面上的所述槽区域的垂直线向所述锁紧部一侧倾斜。


4.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于：
其中，所述突起部的上端面上的与所述激光槽所延伸的长度方向相垂直的所述激光槽的截面形状呈V字形或U字形，
所述激光槽中的第二激光槽的底部比所述第二激光槽的宽度的中心更偏向所述锁紧部一侧。


5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于：
其中，相...

【专利技术属性】
技术研发人员：漆畑博可，茂野隆，伊藤瑛基，木村涉，远藤弘隆，小池俊央，河野俊纪，
申请(专利权)人：株式会社加藤电器制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP