发光元件制造技术

根据本实用新型专利技术的一实施例的发光元件包括：第一导电型半导体层；活性层，位于所述第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，位于所述活性层上；电流阻挡层，位于所述第二导电型半导体层上的局部位置；透明电极，覆盖所述电流阻挡层，具有暴露所述电流阻挡层的开口部；第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极焊盘，位于所述电流阻挡层上，且位于所述透明电极的开口部上；第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。

Light emitting element

The light-emitting element according to an embodiment of the utility model includes: a first conductive semiconductor layer, an active layer, on the first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, on the active layer, a current blocking layer, at a local position on the second conductive semiconducting layer, a transparent electrode, covering the current blocking layer, having the function of exposing the electricity The first electrode pad is electrically connected to the first conductive semiconductor layer, the second electrode pad is located on the current barrier layer and on the opening part of the transparent electrode, the second electrode extension is extended from the second electrode pad and is located on the transparent electrode, and the current barrier layer includes the second electrode pad A square pad current barrier layer and an extension current barrier layer under the extension part of the second electrode, the side of the opening part of the transparent electrode is separated from the pad current barrier layer.

【技术实现步骤摘要】
发光元件本申请是申请日为2016年05月03日，申请号为201690001029.4，技术名称为“发光元件”的技术专利申请的分案申请。
本技术涉及一种发光元件，尤其涉及一种包括电极的发光元件。
技术介绍
在利用氮化物系半导体的发光元件中，氮化物系p型半导体层的导电性相对低于n型半导体层。因此，电流在p型半导体层无法向水平方向有效地分散，从而发生电流集中于半导体层的特定部分的现象(currentcrowding)。在半导体层内发生电流集中的情况下，发光二极管对静电放电脆弱，并且可能发生漏电及效率下降。通过使电流在整个发光区域均匀分散，能够提高发光元件的发光效率，并减小由电流集中导致的发热，从而能够提高发光元件的寿命及可靠性。因此，为了有效地分散电流，已经公开了在p型半导体层上形成如ITO等透明电极及电流阻挡层的技术。但是，仅利用电流阻挡层及透明电极使电流分散到整个p型半导体层时存在限制。并且，由于透明电极与p型电极之间的接合性不好，因此在所述p型电极接合引线的情况下，会发生引线断线或从p型电极剥离(peeling)的现象。因此，由p型电极周围的不良造成的发光元件的不良率增加，从而导致发光元件的可靠性及生产良率降低。并且，驱动发光元件时，为了有效地分散电流，公开了一种使分别具有电极焊盘及电极延伸部的p型电极及n型电极的布置多样的技术。但是由于所述电极吸收光而发生的光损失，导致通过改变电极的布置来增加电流分散效率是有限度的。
技术实现思路
技术问题本技术所要解决的课题是提供一种具有能够使电流经过整个发光区域而均匀分散的结构的发光元件。本技术所要解决的又一课题是提供一种能够最小化由电极，尤其是电极焊盘的不良所造成的发光元件可靠性的下降的发光元件。本技术所要解决的又一课题是提供一种针对由静电放电造成的不良及电短路的可靠性较高的发光元件。本技术所要解决的又一课题是提供一种具有能够使电流经过整个发光区域而均匀分散的结构，并且，能够防止由于用于提高电流分散的结构所造成的光损失的发光元件。技术方案根据本技术的发光元件包括：第一导电型半导体层；活性层，位于所述第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，位于所述活性层上；电流阻挡层，位于所述第二导电型半导体层上的局部位置；透明电极，覆盖所述电流阻挡层，具有暴露所述电流阻挡层的开口部；第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极焊盘，位于所述电流阻挡层上，且位于所述透明电极的开口部上；第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。并且，所述第二导电型半导体层的一部分可以在所述电流阻挡层和所述透明电极之间由于所述透明电极的开口部而暴露。并且，所述透明电极可以包括从所述开口部的侧面凸出的至少一个凸出部，所述凸出部的至少一部分位于所述第二电极焊盘和所述电流阻挡层之间。并且，还可以包括：台面，位于所述第一导电型半导体层上，所述台面包括所述活性层及第二导电型半导体层，所述台面包括在其侧面形成的至少一个的凹槽，第一导电型半导体层的一部分通过所述凹槽被暴露。并且，还可以包括：绝缘层，位于所述台面的局部位置上；以及第一电极延伸部，从所述第一电极焊盘延伸，所述第一电极焊盘位于所述绝缘层上。并且，所述绝缘层可以覆盖所述凹槽的侧面的至少一部分，所述第一电极延伸部包括通过所述凹槽与所述第一导电型半导体层接触的延伸部接触部分。并且，所述绝缘层可以覆盖暴露于所述凹槽的活性层的侧面。并且，所述绝缘层还可以覆盖所述凹槽上部的周围。并且，所述绝缘层可以与所述透明电极相隔。并且，所述至少一个凹槽可以包括彼此相隔的多个凹槽，所述多个凹槽位于所述发光元件的一侧面。并且，所述第一电极焊盘可以包括与所述第一导电型半导体层接触的焊盘接触部分。并且，所述焊盘接触部分可以位于所述发光元件的一侧面。并且，所述绝缘层可以包括覆盖所述第一电极焊盘周围的台面侧面的至少一个扩张部。并且，至少一个的所述凹槽可以具有圆弧形态的平面形状。并且，所述延伸部电流阻挡层可以具有比所述第二电极延伸部宽的宽度，所述透明电极将所述延伸部电流阻挡层全部覆盖。并且，将以所述焊盘电流阻挡层的中心部为原点而具有x轴与y轴的虚拟的坐标系作为基准，所述第二电极焊盘与第二电极延伸部的交界面可以位于x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一象限至第四象限中的至少一个上，至少一个的所述凸出部位于除了所述交界面所在的部分以外的x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一象限至第四象限中的至少一个上。所述交界面可以位于所述y(-)轴或所述第四象限上，所述凸出部位于x(+)轴、x(-)轴及y(+)轴上。所述第一电极焊盘可以与所述发光元件的一侧面相邻而布置，所述第二电极焊盘与所述发光元件的另一侧面相邻而布置，所述第二电极延伸部从所述第二电极焊盘向所述发光元件的一侧面延伸。根据本技术的发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；透明电极，位于所述发光结构体上；第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极焊盘，布置在所述透明电极上，并与所述第二导电型半导体层电连接；以及第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，其中，所述第二电极焊盘的一部分与所述透明电极相接。并且，还可以包括位于所述第二电极焊盘及所述第二电极延伸部与所述第二导电型半导体层之间的电流阻挡层，所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，所述透明电极覆盖所述电流阻挡层，并具有暴露所述焊盘电流阻挡层的开口部。并且，所述透明电极可以包括从所述开口部的侧面凸出的至少一个凸出部，所述第二电极焊盘与所述凸出部相接。并且，所述发光结构体可以包括：台面，位于所述第一导电型半导体层上，所述台面包括所述活性层及所述第二导电型半导体层，所述台面包括在其侧面形成的至少一个的凹槽，第一导电型半导体层的一部分通过所述凹槽被暴露。并且，还可以包括：绝缘层，位于所述台面的局部位置上；以及第一电极延伸部，从所述第一电极焊盘延伸，所述第一电极焊盘位于所述绝缘层上，所述第一电极延伸部包括通过所述凹槽与所述第一导电型半导体层接触的延伸部接触部分。并且，所述绝缘层还可以覆盖所述凹槽上部的周围。并且，所述绝缘层可以与所述透明电极相隔。并且，所述第一电极焊盘可以包括与所述第一导电型半导体层接触的焊盘接触部分。并且，所述绝缘层可以覆盖所述凹槽的侧面的至少一部分，从而覆盖暴露于所述凹槽的所述活性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：/n第一导电型半导体层；/n活性层，位于所述第一导电型半导体层上；/n第二导电型半导体层，位于所述活性层上；/n电流阻挡层，位于所述第二导电型半导体层上的局部位置；/n透明电极，覆盖所述电流阻挡层，具有暴露所述电流阻挡层的开口部；/n第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；/n第二电极焊盘，位于所述电流阻挡层上，且位于所述透明电极的开口部上；/n第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，/n所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，/n所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。/n

【技术特征摘要】
20150513 KR 10-2015-0066878;20150529 KR 10-2015-001.一种发光元件，其特征在于，包括：
第一导电型半导体层；
活性层，位于所述第一导电型半导体层上；
第二导电型半导体层，位于所述活性层上；
电流阻挡层，位于所述第二导电型半导体层上的局部位置；
透明电极，覆盖所述电流阻挡层，具有暴露所述电流阻挡层的开口部；
第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；
第二电极焊盘，位于所述电流阻挡层上，且位于所述透明电极的开口部上；
第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，
所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，
所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。


2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第二导电型半导体层的一部分在所述电流阻挡层和所述透明电极之间由于所述透明电极的开口部而暴露。


3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述透明电极包括从所述开口部的侧面凸出的至少一个凸出部，所述凸出部的至少一部分位于所述第二电极焊盘和所述电流阻挡层之间。


4.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括：
台面，位于所述第一导电型半导体层上，
所述台面包括所述活性层及第二导电型半导体层，
所述台面包括在其侧面形成的至少一个的凹槽，第一导电型半导体层的一部分通过所述凹槽被暴露。


5.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，还包括：
绝缘层，位于所述台面的局部位置上；以及
第一电极延伸部，从所述第一电极焊盘延伸，
所述第一电极焊盘位于所述绝缘层上。


6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层覆盖所述凹槽的侧面的至少一部分，
所述第一电极延伸部包括通过所述凹槽与所述第一导电型半导体层接触的延伸部接触部分。


7.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层覆盖暴露于所述凹槽的活性层的侧面。


8.如权利要求7所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层还覆盖所述凹槽上部的周围。


9.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层与所述透明电极相隔。


10.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，
所述至少一个凹槽包括彼此相隔的多个凹槽，所述多个凹槽位于所述发光元件的一侧面。


11.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第一电极焊盘包括与所述第一导电型半导体层接触的焊盘接触部分。


12.如权利要求11所述的发光元件，其特征在于，
所述焊盘接触部分位于所述发光元件的一侧面。


13.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层包括覆盖所述第一电极焊盘周围的台面侧面的至少一个扩张部。


14.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，
至少一个的所述凹槽具有圆弧形态的平面形状。


15.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述延伸部电流阻挡层具有比所述第二电极延伸部宽的宽度，
所述透明电极将所述延伸部电流阻挡层全部覆盖。


16.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，
将以所述焊盘电流阻挡层的中心部为原点而具有x轴与y轴的虚拟的坐标系作为基准，
所述第二电极焊盘与第二电极延伸部的交界面位于x(+)轴、...

【专利技术属性】
技术研发人员：金艺瑟，金京完，吴尚炫，徐德壹，禹尚沅，金智惠，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR