掩膜版的制造方法及掩膜版技术

本发明专利技术提供了一种掩膜版的制造方法，包括：提供一基版，所述基版上形成有主图形及设于所述主图形区的四周的切割道形成区；在所述切割道图形区中形成套刻对准标记及冗余图形，所述冗余图形包围所述套刻对准标记。在已设有套刻对准标记的情况下，在所述掩膜版的切割道形成区中增设所述冗余图形，能够在后续将所述套刻对准标记和所述冗余图形一并转印至晶圆表面，分散了刻蚀晶圆以得到与所述套刻对准标记相对应的密集线时晶圆表面受到的刻蚀应力，从而避免了刻蚀过程中密集线的断线，减少了套刻对准标记的损坏，提高了刻蚀的稳定性，从而降低了套刻对准的量测噪声，提高了产品良率。

Manufacturing method of mask plate and mask plate

The invention provides a manufacturing method of a mask plate, which includes: providing a base plate on which a main pattern is formed and a cutting path forming area arranged around the main pattern area; forming a nested alignment mark and a redundant pattern in the cutting path pattern area, and the redundant pattern surrounding the nested alignment mark. In the case that there is a nested alignment mark, the redundant figure is added in the cutting path forming area of the mask plate, which can transfer the nested alignment mark and the redundant figure to the wafer surface in the future, disperse the etched wafer to obtain the etched stress on the wafer surface when the dense line corresponding to the nested alignment mark is obtained, so as to avoid over etching The breakage of dense line in the process reduces the damage of alignment mark, improves the stability of etching, reduces the measurement noise of alignment, and improves the product yield.

【技术实现步骤摘要】
掩膜版的制造方法及掩膜版
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种掩膜版的制造方法及掩膜版。
技术介绍
随着半导体制造的工艺节点不断往下推进，关键尺寸不断缩小，已经超出了目前主流的光刻工艺的物理极限。在38nm及以下工艺节点的制造中，一般会使用自对准双重成像工艺(Self-alignedDoublePatterning，SADP)。在SADP工艺中，为了提高光刻的套刻精度，通常会对掩膜版上的套刻对准标记(OVLmark)进行分割以在晶圆表面得到对应的密集线(denseline)，但是刻蚀晶圆得到的分割后的密集线稳定性差，特别是形成于晶圆边缘的密集线容易出现断线，从而会造成后续的套刻精度量测异常。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种掩膜版的制造方法及掩膜版，以解决SADP工艺中，套刻对准标记对应形成于晶圆表面的密集线发生断线的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种掩膜版的制造方法，包括：提供一基版，所述基版上形成有主图形区及设于所述主图形区的四周的切割道形成区；在所述切割道图形区中形成套刻对准标记，所述套刻对准标记分布在所述主图形区的四周；以及在所述切割道图形区中形成冗余图形，所述冗余图形包围所述主图形区及所述套刻对准标记。可选的，在所述掩膜版的制造方法中，所述冗余图形的遮光度为5％～50％。可选的，在所述掩膜版的制造方法中，所述冗余图形与所述套刻对准标记之间的间距为1μm～5μm。可选的，在所述掩膜版的制造方法中，所述冗余图形包括四组矩形图形组，其中，所述四组矩形图形组构成一环绕所述主图形区及所述套刻对准标记的矩形框图形。可选的，在所述掩膜版的制造方法中，每组所述矩形图形组包括至少两个矩形图形，并且每组所述矩形图形组中的矩形图形按阵列形式排布。可选的，在所述掩膜版的制造方法中，每组所述矩形图形组包括至少两个矩形图形，并且同一组所述矩形图形组中的矩形图形相同。可选的，在所述掩膜版的制造方法中，每组所述矩形图形组包括至少两个矩形图形，所述矩形图形为正方形图形，所述正方形图形边长的关键尺寸为0.5μm～1.5μm。可选的，在所述掩膜版的制造方法中，相邻的两个所述正方形图形之间的间距为0.5μm～2.0μm。可选的，在所述掩膜版的制造方法中，所述主图形区包括至少一个主图形，其中，当所述主图形的数量为多个时，多个所述主图形按阵列形式分布。可选的，在所述掩膜版的制造方法中，所述套刻对准标记的数量大于或者等于四个。基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种掩膜版，包括：基版、主图形区及切割道形成区，所述主图形区及所述切割道形成区设于所述基版上，所述切割道形成区设于所述主图形区的四周，所述切割道形成区中形成有套刻对准标记及冗余图形，所述套刻对准标记设于所述主图形区的四周，所述冗余图形包围所述主图形区及所述套刻对准标记。综上，本专利技术提供一种掩膜版的制造方法，包括：提供一基版，所述基版上形成有主图形及设于所述主图形区的四周的切割道形成区；在所述切割道图形区中形成套刻对准标记及冗余图形，其中，所述冗余图形包围所述套刻对准标记。进一步的，本专利技术还提供一种掩膜版，包括：基版、主图形区及切割道形成区，所述切割道形成区中形成有套刻对准标记及冗余图形，所述冗余图形包围所述主图形区及所述套刻对准标记。在已设有套刻对准标记的情况下，在所述掩膜版的切割道形成区中增设所述冗余图形，能够在后续将所述套刻对准标记和所述冗余图形一并转印至晶圆表面，分散了刻蚀晶圆以得到与所述套刻对准标记相对应的密集线时晶圆表面受到的刻蚀应力，从而避免了刻蚀过程中密集线的断线，减少了套刻对准标记的损坏，提高了刻蚀的稳定性，从而降低了套刻对准的量测噪声，提高了产品良率。附图说明图1是本专利技术实施例提供的掩膜版的制造方法流程图；图2是本专利技术实施例提供的掩膜版示意图；图3是本专利技术实施例提供的晶圆曝光区域示意图；其中，附图标记说明：10-基版，11-主图形区，12-切割道形成区，121-套刻对准标记，122-冗余图形。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的掩膜版的制造方法及掩膜版作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。本专利技术提供一种掩膜版的制造方法，请参考图1，图1是本专利技术实施例提供的掩膜版的制造方法流程图，所述掩膜版的制造方法包括：S10：提供一基版，所述基版上形成有主图形区及设于所述主图形区的四周的切割道形成区；S20：在所述切割道图形区中形成套刻对准标记，所述套刻对准标记分布在所述主图形区的四周；以及S30：在所述切割道图形区中形成冗余图形，所述冗余图形包围所述主图形区及所述套刻对准标记。参考图2，图2是本专利技术实施例提供的掩膜版示意图，接下来结合图2具体介绍所述掩膜版的制造方法。首先，提供一基版10，所述基版10上形成有主图形区11及设于所述主图形区11的四周的切割道形成区12，其中，所述主图形区11可以包括至少一个主图形，其中，当所述主图形的数量为多个时，所述主图形按阵列形式分布。然后，在所述切割道图形区12中形成套刻对准标记121，所述套刻对准标记121分布在所述主图形区11的四周，具体的，所述套刻对准标记121的数量大于或者等于四个，在本实施例中，如图2所示，所述套刻对准标记121的数量为四个，各所述套刻对准标记121分别设于所述主图形区11的一侧。所述套刻对准标记121的数量越多，套刻精度越高。最后，在所述切割道图形区12中形成冗余图形122，所述冗余图形122包围所述主图形区11及所述套刻对准标记121。具体的，所述切割道图形区12中的所述冗余图形122的遮光度为5％～50％，具有遮光度的所述冗余图形122、所述套刻对准标记121及所述主图形一并在光刻机台对所述掩膜版进行曝光、显影步骤中转印至晶圆表面的光刻胶层上以得到光刻胶图案层，所述光刻胶图案层上形成有冗余图形、密集线(denseline)及主图形，其中，所述密集线对应于所述掩膜版上的套刻对准标记，并将所述光刻胶图案层上的所有图形转印至晶圆表面即所述掩膜版上的所述套刻对准标记和所述冗余图形能够一并转印至晶圆表面。参考图3，图3是本专利技术实施例提供的晶圆曝光区域示意图，在本实施例中，晶圆表面形成有5×5的曝光区域，其中每个曝光区域对应一个本专利技术提供的所述掩膜版，在光刻工艺和刻蚀工艺之后，所述掩膜版上的所有图形(所述冗余图形122、所述套刻对准标记121及所述主图形)全部转印至所述曝光区域。在刻蚀晶圆以得到与所述套刻对准标记相对应的密集线时，也刻蚀晶圆以在晶圆表面形成与所述冗余图形对应的图案，可以分散刻蚀晶圆以得到与所述套刻对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一基版，所述基版上形成有主图形区及设于所述主图形区的四周的切割道形成区；/n在所述切割道图形区中形成套刻对准标记，所述套刻对准标记分布在所述主图形区的四周；以及/n在所述切割道图形区中形成冗余图形，所述冗余图形包围所述主图形区及所述套刻对准标记。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基版，所述基版上形成有主图形区及设于所述主图形区的四周的切割道形成区；
在所述切割道图形区中形成套刻对准标记，所述套刻对准标记分布在所述主图形区的四周；以及
在所述切割道图形区中形成冗余图形，所述冗余图形包围所述主图形区及所述套刻对准标记。


2.如权利要求1所述的掩膜版的制造方法，其特征在于，所述冗余图形的遮光度为5％～50％。


3.如权利要求1所述的掩膜版的制造方法，其特征在于，所述冗余图形与所述套刻对准标记之间的间距为1μm～5μm。


4.如权利要求1所述的掩膜版的制造方法，其特征在于，所述冗余图形包括四组矩形图形组，其中，所述四组矩形图形组构成一环绕所述主图形区及所述套刻对准标记的矩形框图形。


5.如权利要求4所述的掩膜版的制造方法，其特征在于，每组所述矩形图形组包括至少两个矩形图形，并且每组所述矩形图形组中的矩形图形按阵列形式排布。


6.如权利要求4所述的掩膜版的制造方法，其特征在于，每组所述矩形图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈继华，应广驰，郑鸿柱，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31