The invention discloses a high dielectric constant np0 type dielectric ceramic, which comprises magnesium metatitanate (mgtio
【技术实现步骤摘要】
一种高介电常数NP0型介质陶瓷
本专利技术涉及陶瓷组合物
,更具体地说,它涉及一种高介电常数NP0型介质陶瓷。
技术介绍
电容器中的介质材料按容量的温度稳定性可以划分为两类,即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器,在这之中X5R、X7R、X8R、Y5V和Z5U等属于Ⅱ类陶瓷,Ⅱ类陶瓷电容器的介电常数一般大于1000,其电气性能比较稳定,适用于隔直、耦合、旁路及对可靠性要求较高的中、低频场合,以及对容量稳定性和损耗要求不高的场合;相对于前述而言,NP0属于Ⅰ类陶瓷,具有温度补偿特性,Ⅰ类陶瓷电容器的介电常数一般小于100,其电容量性能稳定,基本上不随温度、电压、时间的变化而改变,属于超稳定、低损耗、低寄生电感的电容器介质材料,常用于对稳定性、可靠性要求较高的高频、甚至超高频的场合。在一些聚集较多本目光的材料系统中,镁钛锌系统(MgO-TiO2-ZnO系统)是以MgO、TiO2、ZnO等为原料而合成;MgO-TiO2-ZnO系统为基础研制的陶瓷介质材料具有非常理想的高频性能,并且能够通过改变适当成分的配比,可以有效的减小 ...
【技术保护点】
1.一种高介电常数NP0型介质陶瓷,其特征在于,所述NP0型介质陶瓷包括以下重量份的原料制成:偏钛酸镁(MgTiO
【技术特征摘要】
1.一种高介电常数NP0型介质陶瓷,其特征在于,所述NP0型介质陶瓷包括以下重量份的原料制成:偏钛酸镁(MgTiO3)5-250份、钛酸钙(CaTiO3)5-150份、二氧化钛(TiO2)5-100份、三氧化二钕(Nd2O3)5-350份和烧结助剂50-120份。
2.根据权利要求1所述的一种高介电常数NP0型介质陶瓷,其特征在于,所述烧结助剂为氧化铋(Bi2O3)、氧化硼(B2O3)和氧化铝(Al2O3)中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种高介电常数NP0型介质陶瓷,其特征在于,所述NP0型介质陶瓷的原料还包括改性添加剂5-200份。
4.根据权利要求3所述的一种高介电常数NP0型介质陶瓷,其特征在于,所述改性添加剂为五氧化二铌(Nb2O5)、二氧化锆(ZrO2)和氧化钙(...
【专利技术属性】
技术研发人员:李吉晓,何建成,李岩,
申请(专利权)人:如东宝联电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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