The invention discloses a method for determining the depth of a groove. The method determines the number of dark points in the two-dimensional image by acquiring the two-dimensional image of the groove to be tested, and then, based on the curve that represents the relationship between the dark points and the depth of the groove constructed in advance, according to the corresponding relationship between the dark points and the depth of the groove, obtains the corresponding groove depth, so as to measure the depth of the groove Depth of the groove. This method avoids the destructive measurement of the groove, and can quickly and effectively determine the depth of the groove by obtaining the two-dimensional image of the groove and the curve of the relationship between the number of dark points and the depth of the groove.
【技术实现步骤摘要】
一种确定凹槽深度的方法
本专利技术涉及图像处理
,尤其涉及一种确定凹槽深度的方法。
技术介绍
DRAM(DynamicRandomAccessMemory,动态随机存储器)是现有技术中最为常见的系统内存,应用广泛。在DRAM制备过程中,掩埋字线金属凹槽深度对芯片阈值电压的影响较大,因此需要能够准确测出掩埋字线金属凹槽的深度。现有技术中对掩埋字线金属凹槽进行深度测量时,一种情况是,利用透射电子显微镜(TEM,TransmissionElectronMicroscope)等进行测量,该方法需要对待测样品破坏性测量,并且切片制样及拍摄过程复杂;另一种情况是,利用SCD(SpectroscopicCriticalDimension)深度量测机台(byKLATencor)进行测量,该方法建立模型耗时耗力。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:现有技术中进行凹槽深度的测量时,需要破坏样品且耗费时间的、效率较低的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种确定凹槽深度的方法,其包括:获取待测凹槽的二维图像;确定所述二维图像中灰度值在预设范围内的暗点的数量;基于构建的表征暗点数与凹槽深度的关系的曲线,得到与确定的暗点数相对应的凹槽深度,以作为所述待测凹槽的深度。优选的,所述二维图像包括亮区与暗区。优选的,在确定所述二维图像中灰度值在预设范围内的暗点的数量之前,所述方法还包括:利用神经网络算法识别出所述二维图像中的亮区,并从所述 ...
【技术保护点】
1.一种确定凹槽深度的方法,其特征在于,包括:/n获取待测凹槽的二维图像;/n确定所述二维图像中灰度值在预设范围内的暗点的数量;/n基于构建的表征暗点数与凹槽深度的关系的曲线,得到与确定的暗点数相对应的凹槽深度,以作为所述待测凹槽的深度。/n
【技术特征摘要】
1.一种确定凹槽深度的方法,其特征在于,包括:
获取待测凹槽的二维图像;
确定所述二维图像中灰度值在预设范围内的暗点的数量;
基于构建的表征暗点数与凹槽深度的关系的曲线,得到与确定的暗点数相对应的凹槽深度,以作为所述待测凹槽的深度。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述二维图像包括亮区与暗区。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在确定所述二维图像中灰度值在预设范围内的暗点的数量之前,所述方法还包括:
利用神经网络算法识别出所述二维图像中的亮区,并从所述二维图像中删除该亮区。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设范围满足:灰度值大于等于30且小于等于50。
5.根据权利要求1或4所述的方法,其特征在于,还包括:对所述二维图像中灰度值在预设范围内的暗点进行图像增强。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在获取所述二维图像之前,所述方...
【专利技术属性】
技术研发人员:赖柏廷,朱家仪,郑仁杰,曾伟辰,罗浩觉,
申请(专利权)人:福建省晋华集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:福建;35
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