晶体管制造技术

本公开涉及一种晶体管，包括基底，基底中设有栅极沟槽；栅介质层，覆盖栅极沟槽的底部和侧壁，包括第一部分和第二部分；第一部分位于栅极沟槽的底部及下部；第二部分位于栅极沟槽的上部，且与第一部分相连接，第二部分的厚度大于第一部分的厚度；栅极导电层，位于栅极沟槽中；栅极导电层包括第一功函数材料和第二功函数材料；第一功函数材料位于栅极沟槽的下部，第二功函数材料位于第一功函数材料的顶表面，第一功函数材料的功函数大于第二功函数材料的功函数。降低了晶体管的栅感应漏电电流，提高了晶体管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别是涉及一种晶体管。

技术介绍

1、随着半导体器件尺寸的不断缩减，晶体管的特征尺寸也迅速缩小，对应栅极介质层的厚度也越来越薄，晶体管在关闭状态下或等待状态下所产生的栅感应漏电电流(gate-induced drain leakage，gidl)越来越严重，这对晶体管的可靠性产生较大的影响，增加了晶体管的不稳定性和晶体管的静态功耗，制约了晶体管尺寸的进一步缩小。

技术实现思路

1、基于此，本申请提供一种晶体管，可以优化晶体管的可靠性。

2、一种晶体管，包括：

3、基底，所述基底中设有栅极沟槽；

4、栅介质层，覆盖所述栅极沟槽的底部和侧壁，包括第一部分和第二部分；所述第一部分位于所述栅极沟槽的底部及下部；所述第二部分位于所述栅极沟槽的上部，且与所述第一部分相连接，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度；

5、栅极导电层，位于所述栅极沟槽中；所述栅极导电层包括第一功函数材料和第二功函数材料；所述第一功函数材料位于所述栅极沟槽的下部，所述第二功函数本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第二部分和所述第二功函数材料分别沿所述金属阻挡层的顶表面向相反的方向延伸至相互接触。

4.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第二功函数材料沿所述金属阻挡层的顶表面延伸至与所述第二部分接触。

5.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第二部分沿所述金属阻挡层的顶表面延伸至与所述第二功函数材料的侧壁接触。

6.根据权利要求1-5任一项所述的晶体管，其特征在于，所述第二部分包括：...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第二部分和所述第二功函数材料分别沿所述金属阻挡层的顶表面向相反的方向延伸至相互接触。

4.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第二功函数材料沿所述金属阻挡层的顶表面延伸至与所述第二部分接触。

5.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第二部分沿所述金属阻挡层的顶表面延伸至与所述第二功函数材料的侧壁接触。

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：