【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种装置，且特别涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、双通道薄膜晶体管改善传统的单栅极薄膜晶体管、双栅极薄膜晶体管驱动电压较大且可靠度较低的缺点，因此适于作为有机发光二极管显示装置或微型发光二极管显示装置的驱动元件。然而，为了使双通道薄膜晶体管的两通道连接至相同源极与漏极，源极与漏极需要分别通过形成贯穿至少四层绝缘层的深导通孔或是形成分别与两通道连接的两电性连接的导通孔来实现。受限于设计规则(design rule)及蚀刻条件的限制，这使得深导通孔的孔径难以缩小且两电性连接的导通孔之间的距离难以缩小，导致双通道薄膜晶体管整体所占的面积大，而不利于面板走向分辨率高且轻薄短小的电路设计。此外，通道在导通孔的形成过程中可能受损，而影响双通道薄膜晶体管的表现。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体装置，具有缩小的面积及良好的性能。
2、本专利技术的半导体装置包括基板、第一栅极、第一半导体层、第一栅介电层、第二栅极、第二栅介电层、第二半导体层、第三栅介电层、第一接触孔、...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二半导体层延伸至该第一半导体层而与该第一半导体层直接接触。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第二半导体层延伸至该第一接触孔及该第二接触孔中。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其中部分该第二半导体层夹设于该第一半导体层与该源极之间以及该第一半导体层与该漏极之间。
5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
6.如权利要求4所述的半导体装置，其中该第三半导体层的氧含量与该第二半导体层的氧含量不同。
7.如权利要求1所述的半...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二半导体层延伸至该第一半导体层而与该第一半导体层直接接触。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第二半导体层延伸至该第一接触孔及该第二接触孔中。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其中部分该第二半导体层夹设于该第一半导体层与该源极之间以及该第一半导体层与该漏极之间。
5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
6.如权利要求4所述的半导体装置，其中该第三半导体层的氧含量与该第二半导体层的氧含量不同。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二半导体层从该第三栅介电层的一顶面延伸至该源极的一顶面与该漏极的一顶面上，且部分该源极与部分该漏极位于该第二半导体层与该第三栅介电层之间。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其中该源极以及该漏极接触该第二半导体层的一顶面。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第四栅介电层在该基板的一法线方向上覆盖该第一接触孔及该第二接触孔。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第四栅介电层覆盖该源极的一顶面与该漏极的一顶面。
11.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴尚霖，范扬顺，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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