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本公开涉及一种晶体管，包括基底，基底中设有栅极沟槽；栅介质层，覆盖栅极沟槽的底部和侧壁，包括第一部分和第二部分；第一部分位于栅极沟槽的底部及下部；第二部分位于栅极沟槽的上部，且与第一部分相连接，第二部分的厚度大于第一部分的厚度；栅极导电层，...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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