半导体结构及其制造方法技术

本公开涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：目标层结构和导电结构。目标层结构包括至少一介质层，所述介质层内设有至少一沟槽。导电结构位于所述沟槽内，且与介质层直接接触。其中，与介质层直接接触的导电结构的底面具有最大表面粗糙度D1，与介质层直接接触的导电结构的侧面具有一最大表面粗糙度D2，所述最大表面粗糙度D1>所述最大表面粗糙度D2。本公开用于提升制程可靠性以及高密度集成存储器的电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，特别是涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

1、存储器作为计算机中常用的半导体存储器件，通常包括由多个存储单元（memorycell）构成的阵列区（array region），以及由控制电路构成的周边区（peripheral area）。存储单元例如可以采用1t1c架构，即包括一个晶体管和一个电容器，以由晶体管控制电容器进行电荷存储或电荷释放。控制电路可以通过连接各存储单元的字线（word line，简称wl）和位线（bit line，简称bl）寻址驱动目标存储单元进行数据存取。然而，随着对存储器存储容量要求的不断增加，例如需要采用埋置式字线技术，导致对制程工艺的可靠性要求较高，也容易因沟槽制造缺陷而影响高密度集成存储器的电学性能。

技术实现思路

1、基于此，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，有利于提升制程可靠性以及高密度集成存储器的电学性能。

2、为了实现上述目的，第一方面，本公开一些实施例提供了一种半导体结构，包括：目标层结构和导电结构。目标层结构包括至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽的底部具有多个凹坑；所述导电结构的底部具有填充各所述凹坑的多个凸起。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，任意一个所述凸起沿第一方向至所述导电结构的底面中点的距离大于所述凸起至所述导电结构的边缘的距离；其中，所述第一方向垂直于所述沟槽的深度方向，且所述第一方向为所述沟槽的宽度方向。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构的底面包括：中间区域以及临近所述中间区域的周边区域；

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽的底部具有多个凹坑；所述导电结构的底部具有填充各所述凹坑的多个凸起。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，任意一个所述凸起沿第一方向至所述导电结构的底面中点的距离大于所述凸起至所述导电结构的边缘的距离；其中，所述第一方向垂直于所述沟槽的深度方向，且所述第一方向为所述沟槽的宽度方向。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构的底面包括：中间区域以及临近所述中间区域的周边区域；

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构的底面包括：沿第一方向依序等距排列的第一区域、第二区域和第三区域；

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括衬底；

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述目标层结构包括沿所述沟槽的深度方向层叠设置的至少两层介质层；所述导电结构仅填充于所述沟槽底部的第一层所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖惠先，沈洪，李智育，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：