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本公开涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：目标层结构和导电结构。目标层结构包括至少一介质层，所述介质层内设有至少一沟槽。导电结构位于所述沟槽内，且与介质层直接接触。其中，与介质层直接接触的导电结构的底面具有最大表面粗糙度D1，...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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