半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件，衬底上具有第一介质层，第一介质层内具有多个相互分隔地的第一导电图案及阻隔层，阻隔层位于第一导电图案上，且阻隔层的至少部分顶面露出第一介质层；金属氧化物层位于第一介质层上及阻隔层上，第二介质层位于金属氧化物层上，多个导电柱相互分隔地设置于第二介质层内，并穿过金属氧化物层与阻隔层接触，以通过阻隔层与第一导电图案电性连接。阻隔层可以阻隔金属氧化物层与第一导电图案，形成金属氧化物层之后，金属氧化物层不会与第一导电图案接触，避免生成赘生物，导电柱可以与第一导电图案可以实现较好的电性连接，从而提高了存储器的性能和稳定性。相应的，本发明专利技术还提供了半导体器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

1、现代电子产品中，存储器扮演着不可或缺的重要的角色。存储器除了用来存储使用者的数据，也负责存放中央处理器所执行的程序码以及运算过程中须暂时保存的信息。存储器可分为易失性存储器(volatile memory)与非易失性存储器(non-volatilememory)。常见的易失性存储器包括动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)和静态随机存储器(static random access memory，sram)，其数据会在断电后消失，而必须在下次供电时重新输入。非挥发性存储器包括唯读式存储器(read only memory，rom)和闪存(flash memory)，其存储的数据即使切断电源仍然存在，因此在重新供电后可以直接读取早先存储的有效数据。

2、随着半导体制造工艺的进步，已从平面结构转向三维(three-dimensional，3d)立体堆叠发展，以在单位晶圆面积中获得更高的单元密度，满足更高存储容量的需求。存储器的导电柱本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻隔层的顶面与所述第一介质层的顶面齐平。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻隔层的顶面低于所述第一介质层的顶面。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电图案与所述金属氧化物层被所述阻隔层隔开，且完全不接触。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述金属氧化物层的底面高于所述阻隔层的顶面。

6.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述导电柱的底面与所述阻隔层的顶面直...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻隔层的顶面与所述第一介质层的顶面齐平。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述阻隔层的顶面低于所述第一介质层的顶面。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电图案与所述金属氧化物层被所述阻隔层隔开，且完全不接触。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述金属氧化物层的底面高于所述阻隔层的顶面。

6.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述导电柱的底面与所述阻隔层的顶面直接接触。

7.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述阻隔层的材料包括氮化钨、氮化钛、钼、镍、钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂、锆中的至少一种。

8.一种半...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈笋弘，黄健宾，林毓纯，谢朝景，刘安琪，丁佳耿，翁巧航，朱阿元，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：