【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体处理方法及工艺设备。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中，刻蚀工艺是芯片制造过程中至关重要的一道工艺，刻蚀所用气体激发成等离子态后通过物理/化学作用在晶圆表面刻蚀出所需沟槽(trench)或者其他界面，在此过程中，由于离子轰击以及沟槽内气体反应的不均匀性，所刻蚀出来的沟槽表面或其他刻蚀终止界面会出现毛刺状的损伤缺陷，这样的沟槽表面对于后续的沟槽侧墙工艺以及沟槽填充工艺都会产生不良影响，这种情况需要改变。
2、鉴于此，本申请提供一种半导体处理方法及工艺设备，以解决晶圆在刻蚀过程中的离子轰击后，沟槽或其他刻蚀终止界面出现损伤缺陷难以消除的问题。
3、为实现以上目的，根据第一方面，采用的技术方案为：
4、一种半导体处理方法，包括：
5、提供一半导体衬底，所述半导体衬底上具有经刻蚀工艺处理后形成的目标沟槽；
6、采用第一等离子态气体去除所述半导体衬底和所述目标沟槽的目标表面的氧化层后，采用第二等离子态气体在所述目标表面重新生成所述氧化层，其中，所述第一...
【技术保护点】
1.一种半导体处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其特征在于，所述第一等离子态气体包括：过滤掉离子后的等离子态H2、N2和/或惰性气体。
3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其特征在于，所述第二等离子态气体包括：过滤掉离子后的等离子态的含氧气体、N2和/或惰性气体。
4.如权利要求1或3所述的半导体处理方法，其特征在于，所述含氧气体包括O2、O3或水蒸气。
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其特征在于，所述循环使用所述第一等离子态气体以及所述第二等离子态气体作用于所述目标表面具有设定
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其特征在于，所述第一等离子态气体包括：过滤掉离子后的等离子态h2、n2和/或惰性气体。
3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其特征在于，所述第二等离子态气体包括：过滤掉离子后的等离子态的含氧气体、n2和/或惰性气体。
4.如权利要求1或3所述的半导体处理方法，其特征在于，所述含氧气体包括o2、o3或水蒸气。
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其特征在于，所述循环使用所述第一等离子态气体以及所述第二等离子态气体作用于所述目标表面具有设定循环次数。
6.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈康，王兆祥，王士京，涂乐义，吴磊，梁洁，
申请(专利权)人：上海邦芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。