温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体处理方法及工艺设备，半导体处理方法包括提供一半导体衬底，所述半导体衬底上具有经刻蚀工艺处理后形成的目标沟槽；采用第一等离子态气体去除所述半导体衬底和所述目标沟槽的目标表面的氧化层后，采用第二等离子态...
该专利属于上海邦芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海邦芯半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。