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本发明提供了一种半导体器件，衬底上具有第一介质层，第一介质层内具有多个相互分隔地的第一导电图案及阻隔层，阻隔层位于第一导电图案上，且阻隔层的至少部分顶面露出第一介质层；金属氧化物层位于第一介质层上及阻隔层上，第二介质层位于金属氧化物层上，多...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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