【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种激光打标方法及半导体结构。
技术介绍
1、打标是在半导体结构上形成标记图案，以便于后续对所述半导体结构进行识别和追踪。激光打标是常用的打标工艺。激光打标是采用高功率的激光重复多次轰击标记层的表面，从而在所述标记层中形成标记图案。但是，重复多次采用高功率的激光轰击标记层的表面，会导致形成的标记图案的完整性和均一性较差。而且，采用金属等材料形成的金属标记层对激光有较高的反射率和散射率，从而导致金属标记层损伤以及缺陷的产生，例如产生残渣和粉尘等污染物，后续经过刷洗或者擦洗工艺都不能完全去除金属标记层中的损伤，导致标记图案的清晰度和完整度降低。
2、因此，如何提高标记图案的完整性，减少激光打标过程中对标记层的损伤，从而提高标记图案的清晰度，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种激光打标方法及半导体结构，用于提高标记图案的完整性，减少激光打标过程中对标记层的损伤，从而提高标记图案的清晰度。
2、根据一些实施例，...
【技术保护点】
1.一种激光打标方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的激光打标方法，其特征在于，形成覆盖所述金属导电层的牺牲层的具体步骤包括：
3.根据权利要求1所述的激光打标方法，其特征在于，形成覆盖所述金属导电层的牺牲层的具体步骤包括：
4.根据权利要求1所述的激光打标方法，其特征在于，形成覆盖所述金属导电层的牺牲层的具体步骤包括：
5.根据权利要求1所述的激光打标方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氧化硅材料。
6.根据权利要求1所述的激光打标方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氧化硅材料和掺杂...
【技术特征摘要】
1.一种激光打标方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的激光打标方法，其特征在于，形成覆盖所述金属导电层的牺牲层的具体步骤包括：
3.根据权利要求1所述的激光打标方法，其特征在于，形成覆盖所述金属导电层的牺牲层的具体步骤包括：
4.根据权利要求1所述的激光打标方法，其特征在于，形成覆盖所述金属导电层的牺牲层的具体步骤包括：
5.根据权利要求1所述的激光打标方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氧化硅材料。
6.根据权利要求1所述的激光打标方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氧化硅材料和掺杂元素，所述掺杂元素为碳元素、氮元素中的任一种或者两者的组合。
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗夏，晋东坡，杨明，阳黎明，李钊，黄永彬，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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