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本发明涉及一种激光打标方法及半导体结构。所述激光打标方法包括如下步骤：提供基底，所述基底包括衬底以及沿第一方向位于所述衬底上方的金属导电层，所述第一方向与所述衬底的顶面垂直；形成覆盖所述金属导电层的牺牲层；对所述牺牲层和所述金属导电层进行激...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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