【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、在八寸的金属互连工艺中，层间金属层的材料常使用金属铝，用于连接相邻的所述层间金属层的通孔内通常形成有互联结构，所述互联结构包括覆盖所述通孔的内壁的通孔阻挡层以及填充于所述通孔内且覆盖所述通孔阻挡层的导电材料层。其中，所述导电材料层的材料可以为金属钨。光学功能芯片结构由于其结构的特殊性(例如需要确保顶层金属层具有良好的光反射性能)，其仅在顶层金属层的底面上设置层间阻挡层结构，而在所述顶层金属层的顶面上未设置层间阻挡层结构。为了实现将所述顶层金属层的信号引出，通常需要刻蚀所述顶层金属层上方的介质层，形成暴露所述顶层金属层的通孔，再在所述通孔内形成所述通孔阻挡层和所述导电材料层。所述通孔在刻蚀过程中会使得所述顶层金属层暴露，而在后续于所述通孔内形成所述通孔阻挡层的过程中，会引起所述顶层金属层中的金属粒子扩散至所述通孔内，从而导致最终于所述通孔内形成的互联结构的rc(resistor-capacitance，电阻-电容)异常，影响所述互联结构的电性能以及半导体结构的
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1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成基底的具体步骤包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成至少贯穿所述介质层且暴露所述金属导电层的通孔的具体步骤包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成至少贯穿所述介质层且暴露所述金属导电层的通孔的具体步骤包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第一温度下沉积第一阻挡材料于所述通孔内之前，还包括如下步骤：
6...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成基底的具体步骤包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成至少贯穿所述介质层且暴露所述金属导电层的通孔的具体步骤包括：
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成至少贯穿所述介质层且暴露所述金属导电层的通孔的具体步骤包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第一温度下沉积第一阻挡材料于所述通孔内之前，还包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二通孔阻挡材料为ti，所述第一通孔阻挡材料为tin。
7.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第一温度下形成位于所述通孔的内壁上的第一通孔阻挡层的具体步骤包括：
8.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹清，王峰，李乐，王伟华，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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