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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的金属导电层以及覆盖所述金属导电层的介质层；形成至少贯穿所述介质层且暴露所述金属导电层的通孔；在第一温度下沉积第一阻挡材料...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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