射频功率器件以及包括其的射频功率放大器制造技术

本发明专利技术提供一种射频功率器件以及包括其的射频功率放大器，所述射频功率器件包括：发射极，所述发射极被基极包围；基极，所述基极被配置为围绕所述发射极，并且所述基极被配置为具有开口，以避免形成封闭金属图形；以及集电极，集电极被配置为处于基极的上下两侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无线通信领域，更具体地，涉及一种高功率高增益的5g射频功率器件以及包括其的射频功率放大器。

技术介绍

1、5g nr上行链路发射传导功率，通常应用的最高功率等级为pc2，而4glte上行链路发射传导功率，通常应用的最高功率等级为pc3。pc2要比pc3功率等级高3db。考虑到射频功率放大器到天线间的损耗，包括匹配网络、滤波器和双工器，以及多端口开关等部件。射频功率放大器在4g lte的最大发射功率要满足29dbm的线性功率，对应的5g nr通信链路，5g射频功率放大器的发射功率要满足32dbm的线性功率。而且，一般现在的5g nr终端使用的双天线或者多天线设计，实际对5g射频功率放大器的最大发射功率还要多1db。

2、由于5g nr通信链路对大发射功率的要求，5g射频功率放大器的发射功率是4g射频功率放大器的两倍，工作电流比两倍还要多一些，因为5g nr系统要求的线性度比4g更高，5g射频功率放大器需要消耗更多的电流来换取更高的线性度指标。因此，需要更适合的高功率高增益器件来支持5g射频功率放大器，高功率需要更大的功率单元来支持，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频功率器件，包括：

2.根据权利要求1所述的射频功率器件，其中，所述发射极包括用于形成N指发射极的N个发射极，其中，N为自然数。

3.根据权利要求1所述的射频功率器件，其中，所述基极被配置为具有两个开口，所述两个开口被分别配置在所述发射极的右上方和右下方处。

4.根据权利要求1所述的射频功率器件，其中，所述基极被配置为具有两个开口，所述两个开口被分别配置在所述发射极的中间的上方和下方处。

5.根据权利要求1所述的射频功率器件，其中，所述基极被配置为具有两个开口，所述两个开口被分别配置在所述发射极的右上方和所述发射极的中间的下方处。...

【技术特征摘要】

1.一种射频功率器件，包括：

2.根据权利要求1所述的射频功率器件，其中，所述发射极包括用于形成n指发射极的n个发射极，其中，n为自然数。

3.根据权利要求1所述的射频功率器件，其中，所述基极被配置为具有两个开口，所述两个开口被分别配置在所述发射极的右上方和右下方处。

4.根据权利要求1所述的射频功率器件，其中，所述基极被配置为具有两个开口，所述两个开口被分别配置在所述发射极的中间的上方和下方处。

5.根据权利要求1所述的射频功率器件，其中，所述基极被配置为具有两个开口，所述两个开口被分别配置在所述发射极的右上方和所述发射极的中间的下方处。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张毕禅，王显泰，龙海波，王虹，钱永学，孟浩，蔡光杰，黄鑫，
申请(专利权)人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：