【技术实现步骤摘要】
一种高选择性剥离液、其制备方法和应用
本专利技术涉及一种高选择性剥离液、其制备方法和应用。
技术介绍
在半导体集成电路制造领域，及泛半导体制造(如光伏、LED、微机电芯片、功率芯片、存储芯片)等相关领域，光刻和刻蚀技术是这些制造领域的通用技术，虽然可能存在膜层性质和线宽差异，但工艺原理是相通的。随着半导体领域技术的进步，芯片线宽逐渐变小，芯片线路图形化越来越复杂，膜层层数也越来越多。诸如此类的变化，对半导体材料提出越来越高的要求。尤其是半导体制造工艺中的湿制程工艺中，需湿化学品材料满足各方面的要求，如高选择性腐蚀，高选择性的清洗、剥离等。目前在光刻胶剥离液材料中，市场亟需高选择性剥离液的研究和开发。本专利技术即是在这种强烈的市场需求下，诞生的一款高选择性剥离液，在清洗光刻胶残留及剥离光刻胶性能俱佳的情况下，对其他多种材料不构成破坏性腐蚀。尚没有发现同等功效产品的文献公开。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是为了针对现有技术中的剥离液存在剥离和清洗光刻胶及其残留物的同时，难以实现对多种金属和非金属材料同时具备防腐蚀效果的缺陷，而提供了一种高选择性剥离液、其制备...
【技术保护点】
1.一种剥离液，其特征在于，其原料包括下列质量分数的组分：0‑30.00％的水、5.00‑20.00％的直链酰胺类有机溶剂、10.00‑30.00％的砜类和/或亚砜类有机溶剂、21.00‑79.00％的醇醚类有机溶剂、5.00‑20.00％的烷酮类有机溶剂和0.01‑5.00％的表面活性剂，各组分质量分数之和为100％，所述的表面活性剂为含糖酰胺基的四硅氧烷双子表面活性剂。
【技术特征摘要】
1.一种剥离液，其特征在于，其原料包括下列质量分数的组分：0-30.00％的水、5.00-20.00％的直链酰胺类有机溶剂、10.00-30.00％的砜类和/或亚砜类有机溶剂、21.00-79.00％的醇醚类有机溶剂、5.00-20.00％的烷酮类有机溶剂和0.01-5.00％的表面活性剂，各组分质量分数之和为100％，所述的表面活性剂为含糖酰胺基的四硅氧烷双子表面活性剂。2.如权利要求1所述的剥离液，其特征在于，其原料组分不含季胺类化合物。3.如权利要求1所述的剥离液，其特征在于，所述的水的质量分数为3.00-23.00％；和/或，所述的直链酰胺类有机溶剂的质量分数为8.00-15.00％；和/或，所述的砜类和/或亚砜类有机溶剂的质量分数为15.00-25.00％；和/或，所述的醇醚类有机溶剂的质量分数为28.00-64.00％；和/或，所述的烷酮类有机溶剂的质量分数为8.00-15.00％；和/或，所述的表面活性剂的质量分数为0.05-1.50％。4.如权利要求3所述的剥离液，其特征在于，所述的水的质量分数为7.00-15.00％；和/或，所述的直链酰胺类有机溶剂的质量分数为10.00-12.00％；和/或，所述的砜类和/或亚砜类有机溶剂的质量分数为17.00-23.00％；和/或，所述的醇醚类有机溶剂的质量分数为51.00-60.00％；和/或，所述的烷酮类有机溶剂的质量分数为10.00-12.00％；和/或，所述的表面活性剂的质量分数为0.10-1.30.00％。5.如权利要求1所述的剥离液，其特征在于，所述的水为去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种；和/或，所述的直链酰胺类有机溶剂为N-甲基甲酰胺、N-乙基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-(2-羟基乙基)乙酰胺、N,N-二甲基丙酰胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-(2-乙基己基氧基)-N,N-二甲基丙酰胺和3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺中的一种或多种；和/或，所述的砜类有机溶剂为甲基砜、环丁砜和二丙砜中的一种或多种；和/或，所述的亚砜类有机溶剂为二甲基亚砜和甲乙基亚砜、二苯基亚砜、氯化亚砜、二丙砜和苄苯亚砜中的一种或多种；和/或，所述的醇醚类有机溶剂为乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单异丙基醚、乙二醇单丁基醚、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单异丙基醚、二乙二醇单丁基醚、三乙二醇单甲基醚、三乙二醇单...
【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，蒋闯，冯强强，王亮，
申请(专利权)人：上海新阳半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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