【技术实现步骤摘要】
一种正胶剥离液、其制备方法和应用
本专利技术涉及一种正胶剥离液、其制备方法和应用。
技术介绍
光刻胶一般分为正胶、负胶、干膜等多种类型。光刻胶的剥离或去除,是芯片制造工艺中的重要环节。随着半导体芯片结构越来越复杂,其制造工艺中所用光刻胶剥离液所面临的环境也越来越复杂,需在剥离液清除光刻胶的同时,不产生残渣,且对环境中的金属和非金属介质有一定的腐蚀限制。若超出腐蚀限制,将对芯片产生不可逆转的破坏。目前显示面板和半导体行业中所用的光刻胶以正胶为主,市场上的各类光刻胶正胶剥离液,均无法同时满足上述要求。例如CN1244023C和CN101093364A中所公开的剥离液仅集中在解决金属腐蚀问题上,并未提及非金属介质的缓蚀问题。市场亟需开发一款能同时满足剥离、缓蚀等多方面要求的正胶剥离液。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是为了针对现有技术中的正胶剥离液存在不能同时满足剥离、缓蚀等多方面要求的缺陷,而提供了一种正胶剥离液、其制备方法和应用。本专利技术的正胶剥离液在具有好的剥离性能的情况下,对其他多种材料不构成破坏性腐蚀。本专利技术主要是通过以下技术手段解决上述技术问题的。本专利技术提供了一种正胶剥离液,其原料包括下列质量分数的组分:1.00%-5.00%的季铵碱、40.00%-60.00%的烷醇胺、1.00%-8.00%的缓蚀剂、5.00%-20.00%的直链酰胺类有机溶剂、5.00%-20.00%的酯类溶剂、4.00%-8.00%的醇醚类有机溶剂、5.00%-20.00%的烷酮类有机溶剂、0.01%-2.00%的表面活性剂和0.01%-2.00%的EO-PO ...
【技术保护点】
1.一种正胶剥离液,其特征在于,其原料包括下列质量分数的组分:1.00%‑5.00%的季铵碱、40.00%‑60.00%的烷醇胺、1.00%‑8.00%的缓蚀剂、5.00%‑20.00%的直链酰胺类有机溶剂、5.00%‑20.00%的酯类溶剂、4.00%‑8.00%的醇醚类有机溶剂、5.00%‑20.00%的烷酮类有机溶剂、0.01%‑2.00%的表面活性剂和0.01%‑2.00%的EO‑PO嵌段共聚物L62,各组分质量分数之和为100%;所述的表面活性剂为含糖酰胺基的四硅氧烷双子表面活性剂。
【技术特征摘要】
1.一种正胶剥离液,其特征在于,其原料包括下列质量分数的组分:1.00%-5.00%的季铵碱、40.00%-60.00%的烷醇胺、1.00%-8.00%的缓蚀剂、5.00%-20.00%的直链酰胺类有机溶剂、5.00%-20.00%的酯类溶剂、4.00%-8.00%的醇醚类有机溶剂、5.00%-20.00%的烷酮类有机溶剂、0.01%-2.00%的表面活性剂和0.01%-2.00%的EO-PO嵌段共聚物L62,各组分质量分数之和为100%;所述的表面活性剂为含糖酰胺基的四硅氧烷双子表面活性剂。2.如权利要求1所述的正胶剥离液,其特征在于,所述的季铵碱的质量分数为2.00%-4.00%;和/或,所述的烷醇胺的质量分数为45.00%-55.00%;和/或,所述的缓蚀剂的质量分数为2.00%-7.00%;和/或,所述的直链酰胺类有机溶剂的质量分数为8.00%-15.00%;和/或,所述的酯类溶剂的质量分数为8.00%-15.00%;和/或,所述的醇醚类有机溶剂的质量分数为5.00%-7.00%;和/或,所述的烷酮类有机溶剂的质量分数为8.00%-15.00%;和/或,所述的表面活性剂的质量分数为0.03%-1.00%;和/或,所述的EO-PO嵌段共聚物L62的质量分数为0.03%-1.00%。3.如权利要求2所述的正胶剥离液,其特征在于,所述的季铵碱的质量分数为2.50%-3.50%;和/或,所述的烷醇胺的质量分数为50.00%-53.00%;和/或,所述的缓蚀剂的质量分数为4.00%-5.00%;和/或,所述的直链酰胺类有机溶剂的质量分数为10.00%-12.00%;和/或,所述的酯类溶剂的质量分数为10.00%-12.00%;和/或,所述的醇醚类有机溶剂的质量分数为5.50%-6.50%;和/或,所述的烷酮类有机溶剂的质量分数为10.00%-12.00%;和/或,所述的表面活性剂的质量分数为0.05%-0.50%;和/或,所述的EO-PO嵌段共聚物L62的质量分数为0.03%-1.00%。4.如权利要求1所述的正胶剥离液,其特征在于,所述的季铵碱为四甲基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵五水合物、四丁基氢氧化铵、苯甲基三甲基氢氧化铵、四丙基铵、二甲基二丙基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和二甲基二乙基氢氧化铵中的一种或多种;和/或,所述的烷醇胺为氨基乙基乙醇胺,二甲基氨基乙醇,单乙醇胺,N-甲基乙醇胺,N-乙基乙醇胺,N-丙基乙醇胺,N-丁基乙醇胺,二乙醇胺,三乙醇胺,N-甲基二乙醇胺,N-乙基二乙醇胺,异丙醇胺,二异丙醇胺,三异丙醇胺,N-甲基异丙醇胺,N-乙基异丙醇胺,N-丙基异丙醇胺,2-氨基丙烷-1-醇,N-甲基-2-氨基丙烷-1-醇,N-乙基-2-氨基丙烷-1-醇,1-氨基丙烷-3-醇,N-甲基-1-氨基丙烷-3-醇,N-乙基-1-氨基丙烷-3-醇,1-氨基丁烷-2-醇,N-甲基-1-氨基丁烷-2-醇,N-乙基-1-氨基丁烷-2-醇,2-氨基丁烷-1-醇,N-甲基-2-氨基丁烷-1-醇,N-乙基-2-氨基丁烷-1-醇,3-氨基丁烷-1-醇,N-甲基-3-氨基丁烷-1-醇,N-乙基-3-氨基丁烷-1-醇,1-氨基丁烷-4-醇,N-甲基-1-氨基丁烷-4-醇,N-乙基-1-氨基丁烷-4-醇,1-氨基-2-甲基丙烷-2-醇,2-氨基-2-甲基丙烷-1-醇,1-氨基戊烷-4-醇,2-氨基-4-甲基戊烷-1-醇,2-氨基己烷-1-醇,3-氨基庚烷-4-醇,1-氨基辛烷-2-醇,5-氨基辛烷-4-醇,1-氨基丙烷-2,3-二醇,2-氨基丙烷-1,3-二醇,三(羟甲...
【专利技术属性】
技术研发人员:王溯,蒋闯,冯强强,王亮,
申请(专利权)人:上海新阳半导体材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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