三极管封装结构制造技术

本实用新型专利技术包括封装外壳，所述封装外壳内设有集电区、基区和发射区，所述封装外壳顶部和两侧均开设有穿孔，所述集电区向上引出集电电极，所述基区向上引出基区电极，所述发射区均向上引出发射电极，所述基区电极通过封装外壳顶部的穿孔穿出，所述封装外壳表面一体成型有散热片；散热片的设置有助于帮助整体三极管的封装结构在工作的时候加强散热，增加使用寿命；穿孔与电极之间胶接有硅胶密封圈有助于加强封装结构内的密封性，防止内部物体流出或外部气体水分进入影响结构；集电电极的长度为发射电极长度的两倍有助于进行区分；折痕的设置不但能够使得使用者分清楚电极还可以进行电极长度的裁切。

Triode packaging structure

【技术实现步骤摘要】
三极管封装结构
本技术涉及电子元器件装配领域，尤其涉及一种三极管封装结构。
技术介绍
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。传统的三极管为三个极区的电极引出在同一边，导致使用者难以分辨具体引脚为哪个区域，且传统的三极管散热性不佳，导致其寿命短。因此获得一种便于分辨引脚、且散热效果好的三极管封装结构十分重要。
技术实现思路
本技术提供一种三极管封装结构，以解决上述技术问题。为达到上述目的，本技术采用了下列技术方案：一种三极管封装结构，包括封装外壳，所述封装外壳内设有集电区、基区和发射区，所述封装外壳顶部和两侧均开设有穿孔，所述集电区向上引出集电电极，所述基区向上引出基区电极，所述发射区均向上引出发射电极，所述基区电极通过封装外壳顶部的穿孔穿出，所述集电电极、发射电极均通过靠近其所在位置的位于封装外壳两侧的穿孔穿出，所述封装外壳表面一体成型有散热片。通过上述技术方案，散热片的设置有助于帮助整体三极管的封装结构在工作的时候加强散热，增加使用寿命。作为上述一种优选方式，所述穿孔与各个电极之间胶接有硅胶密封圈。通过上述技术方案，穿孔与电极之间胶接有硅胶密封圈有助于加强封装结构内的密封性，防止内部物体流出或外部气体水分进入影响结构。作为上述一种优选方式，所述集电电极的长度为发射电极长度的两倍。通过上述技术方案，集电电极的长度为发射电极长度的两倍有助于进行区分。作为上述一种优选方式，所述散热片设置有若干片且均匀排布与封装外壳上。作为上述一种优选方式，所述集电电极上设置有一个折痕，所述基区电极上设置有两个折痕。通过上述技术方案，折痕的设置不但能够使得使用者分清楚电极还可以进行电极长度的裁切。其中封装结构包括上封装结构和下封装结构，所述下封装结构四角均一体成型有圆柱凹陷，上封装结构一体成型有圆柱凸起，二者通过圆柱凹陷和圆柱凸起进行固定插入连接，圆柱凸起的形状大小与圆柱凹陷的形状大小一致。且二者固定后再进行胶接。上封装结构和下封装结构的表面均具有散热片。通过上述技术方案，上述封装结构便于进行量产，由于其封装结构简单，生产方式则简单，产量增大。与现有的技术相比，本技术的优点在于：散热片的设置有助于帮助整体三极管的封装结构在工作的时候加强散热，增加使用寿命；穿孔与电极之间胶接有硅胶密封圈有助于加强封装结构内的密封性，防止内部物体流出或外部气体水分进入影响结构；集电电极的长度为发射电极长度的两倍有助于进行区分；折痕的设置不但能够使得使用者分清楚电极还可以进行电极长度的裁切；上述封装结构便于进行量产，由于其封装结构简单，生产方式则简单，产量增大。附图说明图1是本技术内部结构示意图；图2是本技术封装外壳拆分结构立体图。图中，1-封装外壳；2-集电区；3-基区；4-发射区；5-穿孔；6-集电电极；7-基区电极；8-发射电极；9-散热片；10-硅胶密封圈；11-折痕；12-上封装结构；13-下封装结构；14-圆柱凹陷；15-圆柱凸起。具体实施方式本技术三极管封装结构，一种三极管封装结构，包括封装外壳1，所述封装外壳1内设有集电区2、基区3和发射区4，所述封装外壳1顶部和两侧均开设有穿孔5，所述集电区2向上引出集电电极6，所述基区3向上引出基区电极7，所述发射区4均向上引出发射电极8，所述基区电极7通过封装外壳1顶部的穿孔5穿出，所述集电电极6、发射电极8均通过靠近其所在位置的位于封装外壳1两侧的穿孔5穿出，所述封装外壳1表面一体成型有散热片9；散热片9的设置有助于帮助整体三极管的封装结构在工作的时候加强散热，增加使用寿命。作为上述一种优选方式，所述穿孔5与各个电极之间胶接有硅胶密封圈10；穿孔5与电极之间胶接有硅胶密封圈10有助于加强封装结构内的密封性，防止内部物体流出或外部气体水分进入影响结构。作为上述一种优选方式，所述集电电极6的长度为发射电极8长度的两倍；集电电极6的长度为发射电极8长度的两倍有助于进行区分。作为上述一种优选方式，所述散热片9设置有若干片且均匀排布与封装外壳1上。作为上述一种优选方式，所述集电电极6上设置有一个折痕11，所述基区电极7上设置有两个折痕11；折痕11的设置不但能够使得使用者分清楚电极还可以进行电极长度的裁切。其中封装外壳1包括上封装结构12和下封装结构13，所述下封装结构13四角均一体成型有圆柱凹陷14，上封装结构12一体成型有圆柱凸起15，二者通过圆柱凹陷14和圆柱凸起15进行固定插入连接，圆柱凸起15的形状大小与圆柱凹陷14的形状大小一致。且二者固定后再进行胶接；上述封装结构12便于进行量产，由于其封装结构简单，生产方式则简单，产量增大。穿孔5则位于上封装结构12。封装外壳1的内部容腔大小和集电区2、基区3和发射区4形成的大小一致。本技术在投入使用时为传统的使用方法，在进行引脚连接的时候可通过其不同形态的引脚进行直接观测即可得出其引脚为集电极还是基极还是发射极。当需要进行引脚高度的调节的时候可以直接通过折痕进行折断或弯折。为了使本领域技术人员更好地理解本技术，从而对本技术要求保护的范围作出更清楚地限定，下面就本技术的某些具体实施例对本技术进行详细描述。需要说明的是，以下仅是本技术构思的某些具体实施方式仅是本技术的一部分实施例，其中对于相关结构的具体的直接的描述仅是为方便理解本技术，各具体特征并不当然、直接地限定本技术的实施范围。本领域技术人员在本技术构思的指导下所作的常规选择和替换，均应视为在本技术要求保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三极管封装结构，包括封装外壳(1)，所述封装外壳(1)内设有集电区(2)、基区(3)和发射区(4)，其特征在于：所述封装外壳(1)顶部和两侧均开设有穿孔(5)，所述集电区(2)向上引出集电电极(6)，所述基区(3)向上引出基区电极(7)，所述发射区(4)均向上引出发射电极(8)，所述基区电极(7)通过封装外壳(1)顶部的穿孔(5)穿出，所述集电电极(6)、发射电极(8)均通过靠近其所在位置的位于封装外壳(1)两侧的穿孔(5)穿出，所述封装外壳(1)表面一体成型有散热片(9)。

【技术特征摘要】
1.一种三极管封装结构，包括封装外壳(1)，所述封装外壳(1)内设有集电区(2)、基区(3)和发射区(4)，其特征在于：所述封装外壳(1)顶部和两侧均开设有穿孔(5)，所述集电区(2)向上引出集电电极(6)，所述基区(3)向上引出基区电极(7)，所述发射区(4)均向上引出发射电极(8)，所述基区电极(7)通过封装外壳(1)顶部的穿孔(5)穿出，所述集电电极(6)、发射电极(8)均通过靠近其所在位置的位于封装外壳(1)两侧的穿孔(5)穿出，所述封装外壳(1)表面一体成型有散热片(9)。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚磊，
申请(专利权)人：无锡光磊电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32