晶体管器件制造技术

描述一种具有至少一个晶体管单元（10）的晶体管器件，该晶体管单元具有：在半导体本体（100）中的漂移区（11），源极区（12），体区（13）和漏极区（14），其中体区（13）布置在源极区（12）和漂移区（11）之间并且漂移区（11）布置在体区（13）和漏极区（14）之间;栅电极（21），其与体区（13）相邻布置并通过栅极电介质（22）与体区（13）介电绝缘;和场电极（31），其与漂移区（11）相邻布置并通过场电极电介质（22）与漂移区（11）介电绝缘。场电极电介质（22）具有沿漏极区（14）方向至少逐段增加的厚度，并且漂移区（11）在与场电极（31）相邻的台面区（111）中具有沿漏极区（14）方向至少逐段增加的掺杂浓度。

Transistor device

【技术实现步骤摘要】
晶体管器件
本说明书涉及晶体管器件，特别是具有场电极的晶体管器件。
技术介绍
具有场电极的晶体管器件（通常也称为场板晶体管）广泛用作各种应用中的电子开关，例如汽车、工业、消费电子或家用电子应用。在这种类型的晶体管器件中，场电极与漂移区相邻布置，并用于在晶体管器件截止时“补偿”漂移区中存在的掺杂剂原子的一部分。由于这种补偿效应，可以在不降低器件的耐压强度的情况下将漂移区掺杂得比没有场电极的传统晶体管器件更高。由此，在相同耐压强度下，实现减小的导通电阻，或者在相同导通电阻的情况下，实现更高的耐压强度。
技术实现思路
存在进一步降低这种晶体管器件的导通电阻的需求。一个示例涉及晶体管器件。所述晶体管器件包括至少一个晶体管单元，所述至少一个晶体管单元具有：在半导体本体中的漂移区，源极区，体区和漏极区，其中体区布置在源极区和漂移区之间并且漂移区布置在体区和漏极区之间;栅电极，其与体区相邻地布置并通过栅极电介质与体区介电绝缘;和场电极，其与漂移区相邻地布置并通过场电极电介质与漂移区介电绝缘。场电极电介质具有沿漏极区的方向至少逐段增加的厚度，并且漂移区在与场电极相邻的台面区中具有沿漏极区的方向至少逐段增本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.具有至少一个晶体管单元（10）的晶体管器件，所述晶体管单元具有：在半导体本体（100）中的漂移区（11），源极区（12），体区（13）和漏极区（14），其中所述体区（13）布置在所述源极区（12）和所述漂移区（11）之间并且所述漂移区（11）布置在所述体区（13）和所述漏极区（14）之间;栅电极（21），其与所述体区（13）相邻地布置并通过栅极电介质（22）与所述体区（13）介电绝缘;和场电极（31），其与所述漂移区（11）相邻地布置并通过场电极电介质（22）与所述漂移区（11）介电绝缘;其中所述场电极电介质（22）具有沿所述漏极区（14）的方向至少逐段增加的厚度，并且其中所述漂移区（11...

【技术特征摘要】
2018.04.25 DE 102018109950.91.具有至少一个晶体管单元（10）的晶体管器件，所述晶体管单元具有：在半导体本体（100）中的漂移区（11），源极区（12），体区（13）和漏极区（14），其中所述体区（13）布置在所述源极区（12）和所述漂移区（11）之间并且所述漂移区（11）布置在所述体区（13）和所述漏极区（14）之间;栅电极（21），其与所述体区（13）相邻地布置并通过栅极电介质（22）与所述体区（13）介电绝缘;和场电极（31），其与所述漂移区（11）相邻地布置并通过场电极电介质（22）与所述漂移区（11）介电绝缘;其中所述场电极电介质（22）具有沿所述漏极区（14）的方向至少逐段增加的厚度，并且其中所述漂移区（11）在与所述场电极（31）相邻的台面区（111）中具有沿所述漏极区（14）的方向至少逐段增加的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述场电极电介质的最大厚度（d322）和最小厚度（d321）之间的比为至少1.2，至少1.4，至少1.7，或至少在2和5之间或者至少10。3.根据权利要求1或2所述的晶体管器件，其中所述场电极电介质的厚度持续增加。4.根据权利要求1或2所述的晶体管器件，其中所述场电极电介质的厚度逐级增加。5.根据权利要求1或2所述的晶体管器件，其中在与所述场电极（31）相邻的台面区（111）中的最大掺杂浓度和最小掺杂浓度之间的比至少为2。6.根据前述权利要求之一所述的晶体管器件，其中在所述台面区（111）中的漂移区（11）的掺杂浓度沿着所述晶体管器件的电流流动方向在所述漂移区（11）的长度的至少30％，...

【专利技术属性】
技术研发人员：M聪德尔，KH巴赫，P布兰德尔，F希尔勒，ACG伍德，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE