阵列基板的制备方法及阵列基板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在玻璃基板上沉积第一金属层，作为阵列基板的栅极；在所述栅极上沉积所述阵列基板的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积金属硫化物层，作为所述阵列基板的有源层；在所述有源层上沉积第二金属层，并对所述第二金属进行涂覆蚀刻，以形成所述阵列基板的金属源极和金属漏极。在所述金属源极和所述金属漏极上沉积绝缘保护层。本发明专利技术还公开了一种阵列基板。达成了显示面板的亮度及PPI的效果。

The preparation method of array substrate and array substrate

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制备方法及阵列基板
本专利技术涉及电器领域，尤其涉及阵列基板的制备方法及阵列基板。
技术介绍
阵列基板的制备是TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)生产开发过程中的关键工序，在制备阵列基板时，需要在玻璃基板上沉积导电层和功能薄膜图形，以实现对液晶的电学驱动。目前，TFT显示面板通常使用α-Si(ThinFilmTransistor，非晶硅)作为阵列基板有源层的电子传输通道，但是由于α-Si的开关所占的像素面积较大，这样导致显示面板的显示亮度和PPI(PixelsPerInch，每英寸拥有的像素数量)较低的缺点。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，旨在达成提高显示面板的显示亮度及PPI的效果。为实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：在玻璃基板上沉积第一金属层，作为阵列基板的栅极；在所述栅极上沉积所述阵列基板的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积金属硫化物层，作为所述阵列基板的有源层；在所述有源层上沉积第二金属层，并对所述第二金属进行涂覆蚀刻，以形成所述阵列基板的金属源极和金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：在玻璃基板上沉积第一金属层，作为阵列基板的栅极；在所述栅极上沉积所述阵列基板的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积金属硫化物层，作为所述阵列基板的有源层；在所述有源层上沉积第二金属层，并对所述第二金属进行涂覆蚀刻，以形成所述阵列基板的金属源极和金属漏极。在所述金属源极和所述金属漏极上沉积绝缘保护层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：在玻璃基板上沉积第一金属层，作为阵列基板的栅极；在所述栅极上沉积所述阵列基板的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积金属硫化物层，作为所述阵列基板的有源层；在所述有源层上沉积第二金属层，并对所述第二金属进行涂覆蚀刻，以形成所述阵列基板的金属源极和金属漏极。在所述金属源极和所述金属漏极上沉积绝缘保护层。2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极上沉积所述阵列基板的栅绝缘层的步骤包括：S1、向原子层沉积反应腔打入第一前驱体；S2、在5秒～30秒后，以惰性气体吹扫所述反应腔3秒～30秒；S3、向所述原子层沉积反应腔打入第二前驱体；S4、在3秒～30秒后，以惰性气体吹扫所述反应腔5秒～50秒；将所述步骤S1至步骤S4重复执行200次～1000次，以在所述栅极上沉积所述栅绝缘层。3.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述栅绝缘层为氮化硅层；所述第一前驱体为正硅酸酯、正硅酸甲酯、三氨基硅或二氨基硅；所述第二前驱体为NH3、N2或N2H4。4.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述栅绝缘层的沉积温度为80℃～200℃，沉积压强为0.01Torr～5Torr。5.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过原子层沉积法在所述栅绝缘层上沉积金属硫化物层的步骤包括：S10、向原子层沉积反应腔打入第三前驱体；S20、在2秒～20秒后，以惰性气体吹扫所述反应腔3秒～30秒；S30、向所述原子层沉积反应腔打入第四前驱体；S40、在2秒～20秒后，以惰性气体吹扫所述反应腔3秒～30秒；将所述步骤S10至步骤S40...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏玉明，卓恩宗，
申请(专利权)人：北海惠科光电技术有限公司，滁州惠科光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广西,45