【技术实现步骤摘要】
一种低压差线性稳压器
本申请涉及电力电子
,尤其涉及一种低压差线性稳压器。
技术介绍
低压差线性稳压器(Low-dropoutregulator,LDO),又称低压差稳压器、低压降稳压器,是线性直流稳压器的一种,用途是提供稳定的直流电压电源。相比于一般线性直流稳压器,LDO能于更小输出输入电压差的情况下工作。虽然现有的LDO在负载发生跳变时,能够快速稳定输出的电压,实现稳压输出,但当负载电流从满载跳变到空载时,现有的LDO对输出电压的下拉能力仍然较弱,易产生很大的过冲电压。
技术实现思路
有鉴于此,本申请实施例提供了一种低压差线性稳压器,能够解决现有技术中负载电流从满载跳变到空载时易产生很大的过冲电压的问题。本申请实施例提供的一种低压差线性稳压器,包括:比较模块、缓冲模块、功率开关管、反馈网络、检测模块和开关管控制模块;所述比较模块的第一输入端经所述反馈网络连接低压差线性稳压器LDO的输出端,所述比较模块的第二输入端连接基准电压,所述比较模块的输出端经所述缓冲模块连接所述功率开关管的栅极;所述功率开关管的源极连接电源电压,所述功率开关管的漏极为所述LDO的输出端;所述反馈网络,用于根据所述LDO的输出电压,输出反馈电压至所述比较模块的第一输入端;所述比较模块,用于比较所述反馈电压和所述基准电压,并基于比较的结果经所述缓冲模块控制所述功率开关管的导通或截止;所述检测模块,用于检测所述LDO是否产生过冲电压;当所述LDO产生过冲电压时发送驱动信号至所述开关管控制模块;所述开关管控制模块,用于在接收到所述驱动信号时,控制所述功率开关管截止。可选的,所述检测模块 ...
【技术保护点】
1.一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括:比较模块、缓冲模块、功率开关管、反馈网络、检测模块和开关管控制模块;所述比较模块的第一输入端经所述反馈网络连接低压差线性稳压器LDO的输出端,所述比较模块的第二输入端连接基准电压,所述比较模块的输出端经所述缓冲模块连接所述功率开关管的栅极;所述功率开关管的源极连接电源电压,所述功率开关管的漏极为所述LDO的输出端;所述反馈网络,用于根据所述LDO的输出电压,输出反馈电压至所述比较模块的第一输入端;所述比较模块,用于比较所述反馈电压和所述基准电压,并基于比较的结果经所述缓冲模块控制所述功率开关管的导通或截止;所述检测模块,用于检测所述LDO是否产生过冲电压;当所述LDO产生过冲电压时发送驱动信号至所述开关管控制模块;所述开关管控制模块,用于在接收到所述驱动信号时,控制所述功率开关管截止。
【技术特征摘要】
1.一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括:比较模块、缓冲模块、功率开关管、反馈网络、检测模块和开关管控制模块;所述比较模块的第一输入端经所述反馈网络连接低压差线性稳压器LDO的输出端,所述比较模块的第二输入端连接基准电压,所述比较模块的输出端经所述缓冲模块连接所述功率开关管的栅极;所述功率开关管的源极连接电源电压,所述功率开关管的漏极为所述LDO的输出端;所述反馈网络,用于根据所述LDO的输出电压,输出反馈电压至所述比较模块的第一输入端;所述比较模块,用于比较所述反馈电压和所述基准电压,并基于比较的结果经所述缓冲模块控制所述功率开关管的导通或截止;所述检测模块,用于检测所述LDO是否产生过冲电压;当所述LDO产生过冲电压时发送驱动信号至所述开关管控制模块;所述开关管控制模块,用于在接收到所述驱动信号时,控制所述功率开关管截止。2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述检测模块,包括:耦合电容、第一开关管和辅助开关管;所述耦合电容的两端分别连接在LDO的输出端和所述第一开关管的控制端;所述第一开关管的第一端连接所述开关管控制模块的控制端,所述第一开关管的第二端接地;所述辅助开关管的第一端连接所述供电电源,所述辅助开关管的第二端连接所述第一开关管的第一端,所述辅助开关管的控制端连接所述第一开关管的第一端。3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,还包括:偏置电路;所述偏置电路,用于为所述第一开关管提供偏置电压。4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述偏置电路,包括:第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管;所述第一NMOS管的漏极连接所述供电电源和所述第一NMOS管的栅极,所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的源极,所述第一NMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的栅极;所述第二NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极,所述第二NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的源极;所述第一PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的漏极,所述第一PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极;所述第二PMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的漏极,所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极;所述第四NMOS管的栅极连接所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘飞,王乾乾,黄策策,霍宗亮,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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