【技术实现步骤摘要】
一种高阶补偿带隙基准源
本专利技术属于集成电路设计领域，特别涉及一种高阶补偿带隙基准源。
技术介绍
基准电压源是集成电路中非常重要的单元模块电路，可提供高精度高稳定性的基准电压，被广泛应用于模拟和数字系统中。随着移动通信技术的不断发展，对基准电压源模块的要求越来越高。由于在一些工艺中，三极管的正向电流放大倍数β很小，导致三极管基极电流的分流会对基准电压产生很大的影响，使得基准电压的温漂系数很大。且一阶温度补偿基准的精度不够高。所以，如何设计一种基准电压不受三极管正向电流放大倍数β影响的高精度带隙基准源，成为我们当前要解决的问题。
技术实现思路
针对传统带隙基准源存在的三极管基极电流分流导致基准电压的温漂系数很大，以及一阶温度补偿基准的精度不够高等不足之处，本专利技术提出一种高阶补偿带隙基准源，基于利用MOS管形成的β-help结构，使得带隙基准源不受三极管正向电流放大倍数β小带来的影响，同时引入了高阶的指数型曲率温度补偿，能够得到更高精度的基准电压。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种高阶补偿带隙基准源，包括基准电流源、运算放大器和带隙基准模块，所述基准电...
【技术保护点】
1.一种高阶补偿带隙基准源，包括基准电流源、运算放大器和带隙基准模块，所述基准电流源用于为所述运算放大器提供基准电流；其特征在于，所述带隙基准模块包括第一三极管、第二三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第十三NMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管和第十五PMOS管，第一三极管的基极连接第二三极管的基极和第二电阻的一端，其集电极连接第十三NMOS管的栅极、第十三PMOS管的漏极和所述运算放大器的反相输入端，其发射极一方面通过第三电阻让后连接第二三极管的发射极，另一方面通过第四电阻后接地；第十五PMOS管的漏极连接第二三极管的集电极和所述运算放大器的...
【技术特征摘要】
1.一种高阶补偿带隙基准源，包括基准电流源、运算放大器和带隙基准模块，所述基准电流源用于为所述运算放大器提供基准电流；其特征在于，所述带隙基准模块包括第一三极管、第二三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第十三NMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管和第十五PMOS管，第一三极管的基极连接第二三极管的基极和第二电阻的一端，其集电极连接第十三NMOS管的栅极、第十三PMOS管的漏极和所述运算放大器的反相输入端，其发射极一方面通过第三电阻让后连接第二三极管的发射极，另一方面通过第四电阻后接地；第十五PMOS管的漏极连接第二三极管的集电极和所述运算放大器的同相输入端，其栅极连接第十三PMOS管的栅极，其源极连接第十四PMOS管的漏极；第十三NMOS管的漏极连接电源电压，其源极连接第二电阻的另一端并作为所述高阶补偿带隙基准源的输出端；第十二PMOS管的栅极连接第十四PMOS管的栅极和所述运算放大器的输出端，其漏极连接第十三PMOS管的源极，其源极连接第十四PMOS管的源极并连接电源电压。2.根据权利要求1所述的高阶补偿带隙基准源，其特征在于，所述运算放大器包括第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第一电容和第五电阻，第六NMOS管的栅极作为所述运算放大器的反相输入端，其源极连接第七NMOS管的源极和第八NMOS管的漏极，其漏极连接第十一NMOS管和第十一PMOS管的漏极并作为所述运算放大器的输出端；第八NMOS管用于将所述基准电流镜像到第八NMOS管支路；第七NMOS管的栅极作为所述运算放大器的同相输入端，其漏极连接第九PMOS管的漏极、第十一NMOS管的栅极、第九NMOS管的栅极和漏极；第八PMOS管的栅极连接第十PMOS管的栅极和第一偏置电压，其源极连接第十PMOS管的源极并连接电源电压，其漏极连接第九PMOS管的源极；第十一PMOS管的栅极连接第九PMOS管的栅极和第二偏置电压，其源极连接第十PMOS管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，蔡景宜，洪至超，孙河山，杨耀杰，仪梦帅，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51
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