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一种高阶补偿带隙基准源，属于集成电路设计领域。本发明的带隙基准模块中，利用第十三NMOS管、第一三极管和第二三极管构成β‑help结构，采用源极跟随器接法的第十三NMOS管为三极管的基极提供电流，不从第一三极管和第二三极管抽取基极电流，保证...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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