掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质技术方案

本发明专利技术公开了掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质，方法包括：确定待测掺杂半导体的吸收光谱；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。本发明专利技术无需利用霍尔效应或者C‑V方法测量载流子浓度，降低了测量误差，提高了精确度；另外，本发明专利技术可不采用SIMS或ICP方法就能获取掺杂原子浓度，降低了测量成本且操作简单，可广泛应用于半导体检测技术领域。

【技术实现步骤摘要】
掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质
本专利技术涉及半导体检测
，尤其是掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质。
技术介绍
掺杂半导体是一种在本征半导体材料中注入其它掺杂元素的半导体。由于掺杂半导体可以通过外来元素的掺杂，来调控其能带结构和光学性能，使材料具有更好的物理和化学特点，在微纳米器件，生物制药、光电子器件等领域得到广泛应用。对于掺杂半导体而言，激活率是一个很重要的物理参数。掺杂半导体是通过不同实验条件获得的，所以实验上得到的掺杂半导体总会存在一定的缺陷问题，而这些缺陷问题往往成为掺杂元素的浮获中心，从而影响到材料的激活率。为了评估掺杂半导体中掺杂元素的激活性能，一般都是分析该材料的激活率，所以获取准确的掺杂半导体激活率是一个很重要的工作。掺杂半导体激活率为掺杂半导体的载流子浓度和掺杂原子浓度之比，其中掺杂半导体的载流子浓度主要通过实验方法得到，现有技术的实验方法主要是利用霍尔效应或者C-V方法直接测量得到，而掺杂原子浓度是由SIMS(SecondaryIonMicroSpectroscopy)或ICP(InductiveCoupledPlasmaEmissi本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：包括以下步骤：确定待测掺杂半导体的吸收光谱；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。

【技术特征摘要】
1.掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：包括以下步骤：确定待测掺杂半导体的吸收光谱；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。2.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述确定待测掺杂半导体的吸收光谱这一步骤，具体为：通过光度计测量待测掺杂半导体的吸收光谱。3.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度这一步骤，包括以下步骤：通过光度计测量不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。4.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度这一步骤，包括以下步骤：根据不同载流子浓度的掺杂半导体模型，通过第一性原理计算不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱；根据不同载流子浓度的掺杂半导体所对应的吸收光谱，确定吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度。5.根据权利要求1所述的掺杂半导体的激活率确定方法，其特征在于：所述确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度这一步骤，包括以下步骤：通过EDS测试方法或XPS测试方法获得待测掺杂半导体的元素百分比；根...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑树文，何伟，李京波，王立云，郑涛，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东,44