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本发明公开了掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质，方法包括：确定待测掺杂半导体的吸收光谱；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式，通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；根据载流子浓度和掺杂原子浓度...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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