【技术实现步骤摘要】
提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架
本技术涉及一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架。
技术介绍
传统的SOT与SOD产品引线框架与封装体之间水平结合力和垂直结合力都较低,在封装结束后进行裁切时,容易发生破坏:1、例如参见图1-图2,在塑封后进行剪切时,管脚受到剪切拉力N时,芯片会直接受到塑封体的反作用力n,芯片与焊线容易发生相对位移,从而影响产品可靠性;2、原基岛边缘处是光滑面,在塑封后进行剪切时,沿着引线框架垂直方向上基岛与塑封体结合力较差,容易使引线框架基岛与塑封体产生分层异常,从而影响产品可靠性。因此也急需寻求一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架,提高产品可靠性。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足,提供一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架,引线框架与封装体之间垂直结合力较高,封装结束后进行裁切时,不容易发生破坏,提高良品率。本技术的目的是这样实现的:一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架,包含有基岛和管脚,位于待剪切线附近的管脚上从背面设置有与待剪切线平行的勾胶凹槽,相应的在管脚正面形成勾胶凸条。所述基岛的边缘处间隔设置有多个豁口,豁口从基岛的正面冲切贯通至背面,所述基岛的边缘处的背面设置有多个冲压台阶。作为一种优选,豁口为半圆形结构。作为一种优选,豁口的半径为0.07mm作为一种优选,豁口与基岛的直边处通过圆弧过渡。作为一种优选,基岛的每条边边缘处分别设置有两个豁口。作为一种优选,所述冲压台阶是从基岛的背面冲压至基岛高度的一半。作为一种优选,冲压台阶位于相邻两个豁口之间以 ...
【技术保护点】
1.一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架,其特征在于包含有基岛和管脚,所述基岛的边缘处间隔设置有多个豁口,豁口从基岛的正面冲切贯通至背面,位于待剪切线附近的管脚上从背面设置有与待剪切线平行的勾胶凹槽,相应的在管脚正面形成勾胶凸条;豁口为半圆形结构;豁口的半径为0.07mm;豁口与基岛的直边处通过圆弧过渡。
【技术特征摘要】
1.一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架,其特征在于包含有基岛和管脚,所述基岛的边缘处间隔设置有多个豁口,豁口从基岛的正面冲切贯通至背面,位于待剪切线附近的管脚上从背面设置有与待剪切线平行的勾胶凹槽,相应的在管脚正面形成勾胶凸条;豁口为半圆形结构;豁口的半径为0.07mm;豁口与基岛的直边处通过圆弧过渡。2.根据权利要求1所述的一种提高SOT与SOD封装体垂直方向结合力的引线框架,其特征在于基岛的每条边边缘处分别设置有两个豁口。...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙华,朱君凯,高杰,
申请(专利权)人:江阴康强电子有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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