一种复位电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种复位电路，包括延迟电路和比较电路，延时电路能够使芯片从掉电状态上电有足够的延时时间来保证系统进入初始状态，以便随时接受各种指令进行工作，比较电路，其中包含对参照电压值进行监测，可以避免当电源电压波动较大且掉到一定值芯片逻辑开始混乱的情况，能够及时对芯片进行复位，从而使得芯片回到正确的逻辑道路上来。本实用新型专利技术针对现有的芯片复位不准确造成的逻辑易混乱的问题进行改进。本实用新型专利技术具有复位性能优良、电路结构简单和成本低等优点。

A reset circuit

【技术实现步骤摘要】
一种复位电路
本技术涉及一种电池管理系统
，尤其涉及到一种复位电路。
技术介绍
目前在电动汽车的研究和发展道路上，动力电池及其管理系统的研究占据着非常重要的位置，电动汽车的性能如何，取决于其动力电池的性能，其中电池的充放电性能为关键因素，影响电动汽车推广应用的主要因素包括动力电池的安全性和使用成本问题，延长电池的使用寿命是降低使用成本的有效途径之一，随着高新技术的迅速发展，为确保电池性能良好，延长电池使用寿命，越来越多的场合采用集成芯片对电池进行合理有效的管理和控制，但是对于集成芯片来说，复位时至关重要的功能之一，复位可以使电路初始化，使电路能够按照设计者的思想顺序执行。如果复位电路没有设计好，则就可能在上电时或者电源波动时使电路进入未知状态，工作就会混乱。为此，更好的执行复位功能是本技术所要解决的问题，从而保证复位性能优良、电路结构简单和成本低。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种复位电路，以解决现有技术中的复位不准确造成的芯片逻辑易混乱等的技术问题。本技术是通过以下技术方案实现的：本技术公开了一种复位电路，包括延迟电路和比较电路：延迟电路包括第一反相器、第二反相器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一电容、第四MOS管、第五MOS管、第一电阻和第二电阻，第一反相器的输入端为延迟信号输入端，第一反相器的输出端与第一MOS管的栅极连接，第一MOS管的漏极、第二MOS管的栅极和第四MOS管的栅极并联连接且设置为偏置电流输入端，第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管的源极均接地，第二MOS管的漏极串联第一电阻后与第四MOS管的源极连接，第三MOS管的漏极串联第二电阻后与第五MOS管的源极连接，第三MOS管的栅极与第五MOS管的栅极并联后与第四MOS管的源极连接，第四MOS管和第五MOS管的漏极并联并设置为工作电压输入端，第四MOS管的栅极并联连接有第一电容，第一电容的另一引脚接地，第二反相器的输入端与第三MOS管的漏极连接，第二反相器的输出端为延迟信号输出端；断电后初次上电，延迟信号输入端输入低电平断电状态，同时芯片从偏执电流输入端为延迟电路提供MOS管的导通电压，第一MOS管只有在延迟信号输入端输入低电平时进行导通，此时第一电容相当于短路，第四MOS管的栅极处于低电平所以截止，当第一电容充电结束，第四MOS管的栅极变为高电平且同时导通，第一电阻和第二电阻的设置是为了保证第三MOS管和第五MOS管能够处于导通的同时确定第五MOS管的漏极总是输出低电平，从而使得延迟信号输出端总是输出高电平，从而启动比较电路。比较电路包括比较器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第二电容，第六MOS管的栅极与延迟信号输出端连接，第六MOS管的漏极为参照电压输入端，第六MOS管的源极与第三电阻串联后连接比较器的正输入端，比较器的负输入端为基准比较电压输入端，比较器的正输入端还连接有第四电阻，第四电阻和第五电阻串联后接地，第七MOS管和第九MOS管的栅极并联连接后与比较器的输出端连接，第七MOS管的漏极与工作电压输入端连接，第七MOS管的源极并联连接有第六电阻和第十MOS管的栅极，第九MOS管的漏极并联连接有第八MOS管的栅极和第六电阻，第八MOS管的漏极连接在第四电阻和第五电阻的连接处，第八MOS管的源极、第九MOS管的源极和第十MOS管的源极均接地，第十MOS管的漏极并联连接有第七电阻和第二电容，第七电阻的另一引脚与参照电压输入端连接，第二电容的另一引脚接地，第十MOS管的漏极为复位信号输出端。延迟信号输出端输出的高电平保证第六MOS管处于导通状态，初次上电时，参照电压通过第七电阻给第二电容充电，此时第二电容相当于短路，即复位信号输出端输出低电平，当第二电容充电结束时，正极为高电位，即芯片复位结束。其中比较器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻组成一个参照电压监测电路，当参照电压输入端的电压小于一定值时，参照电压监测电路的输出即第十MOS管的漏极输出低电平，即芯片开始重新复位，当参照电压输入端的电压大于一定值的时候，芯片复位结束。优选地，为了更好地控制电路中的信号流向，第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管均为耗尽型NMOS管；第四MOS管和第五MOS管均为耗尽型PMOS管。优选地，为了能够形成电流镜提供稳定电流的同时能够更好的控制电路中的信号流出，第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管均为增强型MOS管。本技术公开了一种复位电路，与现有技术相比：本技术包括延时电路和比较电路，延时电路能够使芯片从掉电状态上电有足够的延时时间来保证系统进入初始状态，以便随时接受各种指令进行工作，比较电路，其中包含对参照电压值进行监测，可以避免当电源电压波动较大且掉到一定值芯片逻辑开始混乱的情况，能够及时对芯片进行复位，从而使得芯片回到正确的逻辑道路上来。本技术具有复位性能优良、电路结构简单和成本低等的优点。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为延迟电路的结构示意图；图3为比较电路的结构示意图。具体实施方式下面对本技术的实施例作详细说明，本实施例在以本技术技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本技术的保护范围不限于下述的实施例。实施例1实施例1公开了一种复位电路，如图1所示，包括延迟电路1和比较电路2：如图2所示，延迟电路1包括第一反相器101、第二反相器102、第一MOS管103、第二MOS管104、第三MOS管105、第一电容106，第四MOS管107、第五MOS管108、第一电阻109和第二电阻110，第一电阻109和第二电阻110的阻值均设置为500KΩ。第一反相器101的输入端为延迟信号输入端112，第一反相器101的输出端与第一MOS管103的栅极连接，第一MOS管103的漏极、第二MOS管104的栅极和第四MOS管107的栅极并联连接且设置为偏置电流输入端111，第一MOS管103、第二MOS管104和第三MOS管105的源极均接地，第二MOS管104的漏极串联第一电阻109后与第四MOS管107的源极连接，第三MOS管105的漏极串联第二电阻110后与第五MOS管108的源极连接，第三MOS管105的栅极与第五MOS管108的栅极并联后与第四MOS管107的源极连接，第四MOS管107和第五MOS管108的漏极并联并设置为工作电压输入端114，第四MOS管107的栅极并联连接有第一电容106，第一电容106的另一引脚接地，第一电容106设置为16pF,第二反相器102的输入端与第三MOS管105的漏极连接，第二反相器102的输出端为延迟信号输出端113；第一MOS管103、第二MOS管104和第三MOS管105均为耗尽型NMOS管；第四MOS管107和第五MOS管108均为耗尽型PMOS管。如图3所示，比较电路2包括比较器201、第六MOS管202、第七MOS管203、第八MOS管204、第九MOS管205本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复位电路，其特征在于，包括延迟电路和比较电路：所述延迟电路包括第一反相器、第二反相器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一电容、第四MOS管、第五MOS管、第一电阻和第二电阻，所述第一反相器的输入端为延迟信号输入端，所述第一反相器的输出端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极、第二MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极并联连接且设置为偏置电流输入端，所述第一MOS管、第二MOS管和所述第三MOS管的源极均接地，所述第二MOS管的漏极串联所述第一电阻后与所述第四MOS管的源极连接，所述第三MOS管的漏极串联所述第二电阻后与所述第五MOS管的源极连接，所述第三MOS管的栅极与所述第五MOS管的栅极并联后与所述第四MOS管的源极连接，所述第四MOS管和所述第五MOS管的漏极并联并设置为工作电压输入端，所述第四MOS管的栅极并联连接有所述第一电容，所述第一电容的另一引脚接地，所述第二反相器的输入端与所述第三MOS管的漏极连接，所述第二反相器的输出端为延迟信号输出端；所述比较电路包括比较器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第二电容，所述第六MOS管的栅极与所述延迟信号输出端连接，所述第六MOS管的漏极为参照电压输入端，所述第六MOS管的源极与所述第三电阻串联后连接所述比较器的正输入端，所述比较器的负输入端为基准比较电压输入端，所述比较器的正输入端还连接有所述第四电阻，所述第四电阻和所述第五电阻串联后接地，所述第七MOS管和所述第九MOS管的栅极并联连接后与所述比较器的输出端连接，所述第七MOS管的漏极与所述工作电压输入端连接，所述第七MOS管的源极并联连接有所述第六电阻和所述第十MOS管的栅极，所述第九MOS管的漏极并联连接有所述第八MOS管的栅极和所述第六电阻，所述第八MOS管的漏极连接在所述第四电阻和所述第五电阻的连接处，所述第八MOS管的源极、第九MOS管的源极和所述第十MOS管的源极均接地，所述第十MOS管的漏极并联连接有所述第七电阻和所述第二电容，所述第七电阻的另一引脚与所述参照电压输入端连接，所述第二电容的另一引脚接地，所述第十MOS管的漏极为复位信号输出端。...

【技术特征摘要】
1.一种复位电路，其特征在于，包括延迟电路和比较电路：所述延迟电路包括第一反相器、第二反相器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一电容、第四MOS管、第五MOS管、第一电阻和第二电阻，所述第一反相器的输入端为延迟信号输入端，所述第一反相器的输出端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极、第二MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极并联连接且设置为偏置电流输入端，所述第一MOS管、第二MOS管和所述第三MOS管的源极均接地，所述第二MOS管的漏极串联所述第一电阻后与所述第四MOS管的源极连接，所述第三MOS管的漏极串联所述第二电阻后与所述第五MOS管的源极连接，所述第三MOS管的栅极与所述第五MOS管的栅极并联后与所述第四MOS管的源极连接，所述第四MOS管和所述第五MOS管的漏极并联并设置为工作电压输入端，所述第四MOS管的栅极并联连接有所述第一电容，所述第一电容的另一引脚接地，所述第二反相器的输入端与所述第三MOS管的漏极连接，所述第二反相器的输出端为延迟信号输出端；所述比较电路包括比较器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第二电容，所述第六MOS管的栅极与所述延迟信号输出端连接，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕英杰，
申请(专利权)人：天津鹏翔华夏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12