【技术实现步骤摘要】
一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法
本专利技术涉及激光芯片
，尤其涉及一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法。
技术介绍
VCSEL是vertical-cavitysurface-emittinglaser的缩写，是指垂直腔面发射激光器，其谐振腔是利用在有源区的上下两边形成两个具有高反射率的分布布拉格反射镜(DistributeBraggReflector，简称DBR)构成，激光沿着材料外延生长方向垂直发射。与边发射激光器(EdgeEmittingLaser，简称EEL)相比，VCSEL具有圆形光斑，易与光纤进行耦合，不必解离即可完成工艺制作和检测，易于实现大规模阵列及光电集成等优势。一般底部发射型VCSEL外延DBR会生长成P-DBR比N-DBR对数多，从而达到P-DBR反射率比N-DBR高，但此种设计在进行PL(光致发光)测试时，光束无法正常通过DBR层到量子阱，从而无法进行有效PL(光致发光)测试。无法进行PL测试就无法确认外延参数是否符合后续作业要求，在生产中只能靠将外延片做成芯片后进行外延参数确认，如果等芯片做成后再进行测试，则因为在生产中...
【技术保护点】
1.一种底部发射型VCSEL芯片，其特征在于，包括GaAs衬底和位于GaAs衬底一侧的外延结构，所述GaAs衬底底部蚀刻有出光孔，所述GaAs衬底上于出光孔外围蒸镀有N‑contact层，所述外延结构包括由下至上依次沉积的N‑DBR结构、氧化层、量子阱、P‑DBR结构和欧姆接触层，所述欧姆接触层、P‑DBR结构、量子阱和氧化层被蚀刻至N‑DBR结构上表面形成台面，所述欧姆接触层与出光孔位置相对应，且所述欧姆接触层的大小尺寸与出光孔的相同，所述欧姆接触层上生长有ODR层，所述ODR层上蒸镀有镜面层，所述台面向上至镜面层上覆盖有SiNx层，所述SiNx层在镜面层上于出光孔对应位...
【技术特征摘要】
1.一种底部发射型VCSEL芯片，其特征在于，包括GaAs衬底和位于GaAs衬底一侧的外延结构，所述GaAs衬底底部蚀刻有出光孔，所述GaAs衬底上于出光孔外围蒸镀有N-contact层，所述外延结构包括由下至上依次沉积的N-DBR结构、氧化层、量子阱、P-DBR结构和欧姆接触层，所述欧姆接触层、P-DBR结构、量子阱和氧化层被蚀刻至N-DBR结构上表面形成台面，所述欧姆接触层与出光孔位置相对应，且所述欧姆接触层的大小尺寸与出光孔的相同，所述欧姆接触层上生长有ODR层，所述ODR层上蒸镀有镜面层，所述台面向上至镜面层上覆盖有SiNx层，所述SiNx层在镜面层上于出光孔对应位置蚀刻有接触孔，所述SiNx层上包覆有P-contact层，所述P-contact层填充所述接触孔。2.根据权利要求1所述的一种底部发射型VCSEL芯片，其特征在于，所述N-DBR结构包括重叠生长的35对DBR层，所述P-DBR结构包括重叠生长的28对DBR层。3.根据权利要求2所述的一种底部发射型VCSEL芯片，其特征在于，所述DBR层的生成材料为AlGaAs。4.根据权利要求1所述的一种底部发射型VCSEL芯片，其特征在于，所述N-contact的材料采用AuGe、Au材料，所述P-contact采用Ti、Pt和Au材料。5.根据权利要求1所述的一种底部发射型VCSEL芯片，其特征在于，所述ODR层包括重叠生长的10对ODR单元，所述ODR单元包括重叠生长的ITO层和SiO2层，所述ITO层和SiO2层的厚度均为λ/4n。6....
【专利技术属性】
技术研发人员：窦志珍，曹广亮，刘留，苏小平，韩春霞，林新茗，
申请(专利权)人：威科赛乐微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50
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