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本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括GaAs衬底和位于GaAs衬底一侧的外延结构，GaAs衬底底部蚀刻出出光孔，GaAs衬底上于出光孔外围蒸镀有N‑contact层，外延结构包括N...
该专利属于威科赛乐微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过威科赛乐微电子股份有限公司授权不得商用。

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