硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂及其应用制造技术

本发明专利技术提供一种硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂，其各组分的质量百分含量为：4%～7%脂肪醇聚氧乙烯醚，3%～5%甜菜碱，3%～5%马来酸‑丙烯酸共聚物，2%～5%吐温20，1%～2%β‑环糊精，余量为去离子水。本发明专利技术还提供上述添加剂的应用。在碱溶液中添加本发明专利技术的添加剂，可对单面覆有掩膜的硅片进行单面制绒，且可在单面制绒的过程中实现边缘刻蚀，使硅片边缘绝缘。

【技术实现步骤摘要】
硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂及其应用
本专利技术涉及硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂及其应用。
技术介绍
双面电池是太阳电池的一个发展方向，在双面电池的制备过程中，需要对硅片的边缘进行刻蚀，使硅片边缘绝缘。目前一般采用化学腐蚀的方法对硅片的边缘进行刻蚀，但硅片表面的绒面结构会因为接触刻蚀液而遭到破坏，故需要将硅片的表面制绒和边缘刻蚀同时进行。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂及其应用，在碱溶液中添加本专利技术的添加剂，可对单面覆有掩膜的硅片进行单面制绒，且可在单面制绒的过程中实现边缘刻蚀，使硅片边缘绝缘。为实现上述目的，本专利技术提供一种硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂，其各组分的质量百分含量为：脂肪醇聚氧乙烯醚4%～7%，甜菜碱3%～5%，马来酸-丙烯酸共聚物3%～5%，吐温202%～5%，β-环糊精1%～2%，余量为去离子水。本专利技术还提供一种硅片单面制绒与边缘刻蚀用刻蚀液，其含有碱溶液和上述添加剂，添加剂与碱溶液的质量比为0.5～3:100；所述碱溶液为1～3wt％的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。本专利技术还提供一种硅片单面制绒与边缘刻蚀的方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂，其特征在于，其各组分的质量百分含量为：脂肪醇聚氧乙烯醚         4%～7%，甜菜碱                   3%～5%，马来酸‑丙烯酸共聚物      3%～5%，吐温20                   2%～5%，β‑环糊精                 1%～2%，余量为去离子水。

【技术特征摘要】
1.硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂，其特征在于，其各组分的质量百分含量为：脂肪醇聚氧乙烯醚4%～7%，甜菜碱3%～5%，马来酸-丙烯酸共聚物3%～5%，吐温202%～5%，β-环糊精1%～2%，余量为去离子水。2.硅片单面制绒与边缘刻蚀用刻蚀液，其特征在于，其含有碱溶液和权利要求1所述的添加剂，添加剂与碱溶液的质量比为0.5～3:100；所述碱溶液为1～3wt％的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。3.硅片单面制绒与边缘刻蚀的方法，其特征在于，利用权利要求2所述的刻蚀液对单面覆有掩膜的硅片进行刻蚀，得到具有单面绒面且边缘绝缘的硅片；所述掩膜为二氧化硅或氮化硅。4.根据权利要求3所述的硅片单面...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓雨微，王思云，马洁，张益荣，
申请(专利权)人：常州时创能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32