用于在半导体器件制造期间从硅-锗/锗叠层选择性除去硅-锗合金的蚀刻溶液制造技术

本文描述的是一种蚀刻溶液，其包含水；氧化剂；水混溶性有机溶剂；氟离子源；腐蚀抑制剂；和任选地，表面活性剂；任选地，缓冲剂，和任选地，螯合剂。这样的组合物可用于在微电子器件的制造过程中从其上具有这样的材料的微电子器件相对于锗选择性地除去硅‑锗。

Selective removal of silicon-germanium alloy etching solution from silicon-germanium/germanium stacks during semiconductor device fabrication

【技术实现步骤摘要】
用于在半导体器件制造期间从硅-锗/锗叠层选择性除去硅-锗合金的蚀刻溶液相关申请的交叉引用本申请根据35U.S.C.§119(e)要求2018年3月9日提交的美国临时专利申请No.62/641,168的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术介绍
本专利技术涉及用于制造半导体器件的水性蚀刻溶液。更具体地，本专利技术提供了水性蚀刻溶液，其表现出硅-锗/锗复合半导体器件中硅-锗合金膜相对于锗膜的提高的蚀刻选择性。随着持续不断的尺寸缩小和对超高密度集成电路的速度和功能的越来越苛刻的要求，传统的平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)面临越来越多的如栅极氧化物厚度的缩放和在沟道区上的栅电极的静电控制的这类问题的挑战。通过将栅电极缠绕在鳍形沟道的三个侧面上，鳍式场效应晶体管(FinFET)已经表现出优于平面栅极MOSFET设计的改进的控制。GAAMOSFET类似于FinFET，但对沟道具有甚至更大静电控制的潜力，因为栅电极完全包围沟道。在GAAMOSFET中，沟道区基本上是纳米线。纳米线沟道通常具有数十纳米(nm)或更小的厚度(或直径)并且具有不受约束的长度。纳米线沟道通常水平地悬置在GAA本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于从微电子器件相对于锗选择性地除去硅‑锗合金的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；氧化剂；水混溶性有机溶剂；氟离子源；腐蚀抑制剂；任选地，表面活性剂任选地，缓冲剂；和任选地，螯合剂。

【技术特征摘要】
2018.03.09 US 62/641,168;2019.02.26 US 16/285,9611.一种适用于从微电子器件相对于锗选择性地除去硅-锗合金的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；氧化剂；水混溶性有机溶剂；氟离子源；腐蚀抑制剂；任选地，表面活性剂任选地，缓冲剂；和任选地，螯合剂。2.根据权利要求1所述的蚀刻溶液，其中所述氧化剂是醌。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻溶液，其中所述氧化剂选自1,4-苯醌、1,2-苯醌、1,4-萘醌和9,10-蒽醌。4.根据权利要求1-3中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述组合物基本上不含过氧化物。5.根据权利要求1-4中任一项所述的蚀刻组合物，其中所述水混溶性溶剂选自乙二醇、丙二醇、丁基二甘醇、1,4-丁二醇、三丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、二乙二醇正丁醚、己氧基丙胺、聚(氧乙烯)二胺、二甲基亚砜、四氢糠醇、甘油、醇类、亚砜类、二甲基乙酰胺、吡咯烷酮类、含硫溶剂或其混合物。6.根据权利要求1-5中任一项所述的蚀刻组合物，其中所述水混溶性溶剂选自亚砜类、环丁砜、环丁烯砜、砜或其混合物。7.根据权利要求1-5中任一项所述的蚀刻组合物，其中所述水混溶性溶剂选自环丁砜、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、聚乙二醇和二甲基乙酰胺或其混合物。8.根据权利要求1-7中任一项所述的蚀刻组合物，其中所述腐蚀抑制剂选自儿茶酚；(C1-C6)烷基儿茶酚、三唑类、咪唑类、没食子酸、没食子酸酯、半胱氨酸、甲基双(1-二甲基氨基乙基)胺(polycat5)、1-辛胺、喹啉、喹啉衍生物、鲸蜡基三甲基溴化铵(CTAB)、11-巯基十一烷酸和N-甲基正辛胺。9.根据权利要求1-8中任一项所述的蚀刻组合物，其中所述腐蚀抑制剂选自甲基儿茶酚、乙基儿茶酚和叔丁基儿茶酚、苯并三唑，(C1-C10)烷基苯并三唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、(C1-C10)烷基苯并三唑、苯并三唑-5-羧酸、没食子酸甲酯、没食子酸丙酯、羟基取代的喹啉类、8-羟基喹啉、烷基取代的喹啉类、2-甲基喹啉和4-甲基喹啉。10.根据权利要求1-8中任一项所述的蚀刻组合物，其中所述腐蚀抑制剂选自8-羟基喹啉、鲸蜡基三甲基溴化铵(CTAB)、1-巯基十一烷酸和N-甲基正辛胺。11.根据权利要求1-10中任一项所述的蚀刻组合物，其中所述腐蚀抑制剂包含喹啉。12.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文达，李翊嘉，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US