移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。移位寄存器单元包括下拉节点控制电路和偏置控制电路，所述下拉节点控制电路用于在上拉节点的电位的控制下，控制下拉节点与第一电压端之间连通或断开；所述偏置控制电路用于在所述下拉节点控制电路控制下拉节点与第一电压端之间断开时，通过控制上拉节点的电位，以控制下拉节点控制电路包括的下拉节点控制晶体管的栅源电压处于预定电压范围内。本发明专利技术能够改善下拉节点控制电路包括的下拉节点控制晶体管的阈值电压漂移现象。

Shift Register Unit, Driving Method, Gate Driving Circuit and Display Device

【技术实现步骤摘要】
移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置
本专利技术涉及显示驱动
，尤其涉及一种移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。
技术介绍
在现有的显示面板的信赖性测试过程中，在点灯超过300个小时后，陆续出现点灯显示异常的问题。经解析发现，信赖性测试过程中，移位寄存器单元中的下拉节点控制电路包括的下拉节点控制晶体管的阈值电压会逐渐发生正向漂移，使得所述下拉节点控制晶体管的开态电流Ion降低，使得上拉节点和下拉节点之间的竞争关系出现异常，使得在复位阶段无法对上拉节点的电位进行复位，出现屏幕显示异常
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置，解决现有的移位寄存器单元中的下拉节点控制电路包括的下拉节点控制晶体管的阈值电压漂移现象严重的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种移位寄存器单元，包括下拉节点控制电路和偏置控制电路，其中，所述下拉节点控制电路的控制端与上拉节点电连接，所述下拉节点控制电路的第一端与下拉节点电连接，所述下拉节点控制电路的第二端与第一电压端电连接，所述下拉节点控制电路用于在上拉节点的电位的控制下，控制所述下拉节点与所述第一电压端之间连通或断开；所述偏置控制电路与所述上拉节点电连接，用于在所述下拉节点控制电路控制所述下拉节点与所述第一电压端之间断开时，通过控制所述上拉节点的电位，以控制所述下拉节点控制电路包括的下拉节点控制晶体管的栅源电压处于预定电压范围内。实施时，所述下拉节点控制晶体管为n型晶体管，所述预定电压范围为小于0；或者，所述下拉节点控制晶体管为p型晶体管，所述预定电压范围为大于0。实施时，所述下拉节点控制电路包括一个下拉节点控制晶体管；所述下拉节点控制晶体管的控制极与所述上拉节点电连接，所述下拉节点控制晶体管的第一极与所述下拉节点电连接，所述下拉节点控制晶体管的第二极与第一电压端电连接；所述偏置控制电路包括偏置控制晶体管；所述偏置控制晶体管的控制极与偏置控制端电连接，所述偏置控制晶体管的第一极与所述上拉节点电连接，所述偏置控制晶体管的第二极与第二电压端电连接；所述偏置控制端用于提供偏置控制信号，以使得在所述下拉节点控制晶体管关断时，控制所述偏置控制晶体管导通。实施时，所述偏置控制电压端为下拉控制节点；所述下拉节点控制电路还包括下拉控制节点控制电路和下拉控制晶体管；所述下拉控制节点控制电路用于在所述上拉节点的电位的控制下，控制所述下拉控制节点的电位；所述下拉控制晶体管的控制极与所述下拉控制节点电连接，所述下拉控制晶体管的第一极与电源电压端电连接，所述下拉控制晶体管的第二极与所述下拉节点电连接。实施时，所述下拉节点控制晶体管为n型晶体管，在所述下拉节点控制晶体管关断时，第二电压小于第一电压；或者，所述下拉节点控制晶体管为p型晶体管，在所述下拉节点控制晶体管关断时，第二电压大于第一电压；所述第一电压端用于输入所述第一电压，所述第二电压端用于输入所述第二电压。实施时，所述下拉节点包括第一下拉节点和第二下拉节点；所述下拉节点控制电路包括第一下拉节点控制晶体管和第二下拉节点控制晶体管；所述第一下拉节点控制晶体管的控制极与所述上拉节点电连接，所述第一下拉节点控制晶体管的第一极与所述第一下拉节点电连接，所述第一下拉节点控制晶体管的第二极与第一电压端电连接；所述第二下拉节点控制晶体管的控制极与所述上拉节点电连接，所述第二下拉节点控制晶体管的第一极与所述第二下拉节点电连接，所述第二下拉节点控制晶体管的第二极与第一电压端电连接；所述偏置控制电路包括第一偏置控制晶体管和第二偏置控制晶体管；所述第一偏置控制晶体管的控制极与第一偏置控制端电连接，所述第一偏置控制晶体管的第一极与所述上拉节点电连接，所述第一偏置控制晶体管的第二极与第二电压端电连接；所述第二偏置控制晶体管的控制极与第二偏置控制端电连接，所述第二偏置控制晶体管的第一极与所述上拉节点电连接，所述第二偏置控制晶体管的第二极与第三电压端电连接；所述第一偏置控制端用于提供第一偏置控制信号，以使得所述第一下拉节点控制晶体管和所述第二下拉节点控制晶体管关断时，控制所述第一偏置控制晶体管导通；所述第二偏置控制端用于提供第二偏置控制信号，以使得所述第一下拉节点控制晶体管和所述第二下拉节点控制晶体管关断时，控制所述第二偏置控制晶体管导通。实施时，所述第一偏置控制电压端为第一下拉控制节点，所述第二偏置控制电压端为第二下拉控制节点；所述下拉节点控制电路还包括第一下拉控制节点控制电路、第一下拉控制晶体管、第二下拉控制节点控制电路和第二下拉控制晶体管；所述第一下拉控制节点控制电路用于在所述上拉节点的电位的控制下，控制所述第一下拉控制节点的电位；所述第一下拉控制晶体管的控制极与所述第一下拉控制节点电连接，所述第一下拉控制晶体管的第一极与第一电源电压端电连接，所述第一下拉控制晶体管的第二极与所述第一下拉节点电连接；所述第二下拉控制节点控制电路用于在所述上拉节点的电位的控制下，控制所述第二下拉控制节点的电位；所述第二下拉控制晶体管的控制极与所述第二下拉控制节点电连接，所述第二下拉控制晶体管的第一极与第二电源电压端电连接，所述第二下拉控制晶体管的第二极与所述第二下拉节点电连接。实施时，所述第一下拉节点控制晶体管和所述第二下拉节点控制晶体管都为n型晶体管，在所述第一下拉节点控制晶体管和所述第二下拉节点控制晶体管关断时，第二电压小于第一电压，第三电压小于第一电压；或者，所述第一下拉节点控制晶体管和所述第二下拉节点控制晶体管都为p型晶体管，在所述第一下拉节点控制晶体管和所述第二下拉节点控制晶体管关断时，第二电压大于第一电压，第三电压大于第一电压；所述第一电压端用于输入所述第一电压，所述第二电压端用于输入所述第二电压，所述第三电压端用于输入所述第三电压端。本专利技术还提供了一种驱动方法，应用于上述的移位寄存器单元，所述驱动方法包括：在复位阶段和输出截止保持阶段，下拉节点控制电路在上拉节点的电位的控制下，控制所述下拉节点与所述第一电压端之间断开；偏置控制电路控制所述上拉节点的电位，以控制下拉节点控制电路包括的下拉节点控制晶体管的栅源电压处于预定电压范围内。实施时，所述下拉节点控制晶体管为n型晶体管，所述预定电压范围为小于0；或者，所述下拉节点控制晶体管为p型晶体管，所述预定电压范围为大于0。本专利技术还提供了一种栅极驱动电路，多级上述的移位寄存器单元。本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述的栅极驱动电路。与现有技术相比，本专利技术所述的移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路和显示装置能够改善下拉节点控制电路包括的下拉节点控制晶体管的阈值电压漂移现象。附图说明图1是本专利技术实施例所述的移位寄存器单元的结构图；图2是本专利技术另一实施例所述的移位寄存器单元的结构图；图3是本专利技术又一实施例所述的移位寄存器单元的结构图；图4是本专利技术再一实施例所述的移位寄存器单元的结构图；图5是本专利技术又一实施例所述的移位寄存器单元的结构图；图6是本专利技术所述的移位寄存器单元的一具体实施例的电路图；图7是本专利技术所述的移位寄存器单元的该具体实施例的工作时序图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种移位寄存器单元，其特征在于，包括下拉节点控制电路和偏置控制电路，其中，所述下拉节点控制电路的控制端与上拉节点电连接，所述下拉节点控制电路的第一端与下拉节点电连接，所述下拉节点控制电路的第二端与第一电压端电连接，所述下拉节点控制电路用于在上拉节点的电位的控制下，控制所述下拉节点与所述第一电压端之间连通或断开；所述偏置控制电路与所述上拉节点电连接，用于在所述下拉节点控制电路控制所述下拉节点与所述第一电压端之间断开时，通过控制所述上拉节点的电位，以控制所述下拉节点控制电路包括的下拉节点控制晶体管的栅源电压处于预定电压范围内。

【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器单元，其特征在于，包括下拉节点控制电路和偏置控制电路，其中，所述下拉节点控制电路的控制端与上拉节点电连接，所述下拉节点控制电路的第一端与下拉节点电连接，所述下拉节点控制电路的第二端与第一电压端电连接，所述下拉节点控制电路用于在上拉节点的电位的控制下，控制所述下拉节点与所述第一电压端之间连通或断开；所述偏置控制电路与所述上拉节点电连接，用于在所述下拉节点控制电路控制所述下拉节点与所述第一电压端之间断开时，通过控制所述上拉节点的电位，以控制所述下拉节点控制电路包括的下拉节点控制晶体管的栅源电压处于预定电压范围内。2.如权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述下拉节点控制晶体管为n型晶体管，所述预定电压范围为小于0；或者，所述下拉节点控制晶体管为p型晶体管，所述预定电压范围为大于0。3.如权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述下拉节点控制电路包括一个下拉节点控制晶体管；所述下拉节点控制晶体管的控制极与所述上拉节点电连接，所述下拉节点控制晶体管的第一极与所述下拉节点电连接，所述下拉节点控制晶体管的第二极与第一电压端电连接；所述偏置控制电路包括偏置控制晶体管；所述偏置控制晶体管的控制极与偏置控制端电连接，所述偏置控制晶体管的第一极与所述上拉节点电连接，所述偏置控制晶体管的第二极与第二电压端电连接；所述偏置控制端用于提供偏置控制信号，以使得在所述下拉节点控制晶体管关断时，控制所述偏置控制晶体管导通。4.如权利要求3所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述偏置控制电压端为下拉控制节点；所述下拉节点控制电路还包括下拉控制节点控制电路和下拉控制晶体管；所述下拉控制节点控制电路用于在所述上拉节点的电位的控制下，控制所述下拉控制节点的电位；所述下拉控制晶体管的控制极与所述下拉控制节点电连接，所述下拉控制晶体管的第一极与电源电压端电连接，所述下拉控制晶体管的第二极与所述下拉节点电连接。5.如权利要求3或4所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述下拉节点控制晶体管为n型晶体管，在所述下拉节点控制晶体管关断时，第二电压小于第一电压；或者，所述下拉节点控制晶体管为p型晶体管，在所述下拉节点控制晶体管关断时，第二电压大于第一电压；所述第一电压端用于输入所述第一电压，所述第二电压端用于输入所述第二电压。6.如权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述下拉节点包括第一下拉节点和第二下拉节点；所述下拉节点控制电路包括第一下拉节点控制晶体管和第二下拉节点控制晶体管；所述第一下拉节点控制晶体管的控制极与所述上拉节点电连接，所述第一下拉节点控制晶体管的第一极与所述第一下拉节点电连接，所述第一下拉节点控制晶体管的第二极与第一电压端电连接；所述第二下拉节点控制晶体管的控制极与所述上拉节点电连接，所述第二下拉节点控制晶体管的第一极与所述第二下拉节点电连接，所述第二下拉节点控制晶体管的第二极与第一电压端电连接；所述偏置控制电路包括第一偏置控制晶体管和第二偏置控制晶体管；所述第一偏置控制晶体管的控制极与第一偏置...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘幸一，吴鹏，汪弋，周纪登，吕凤珍，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11