一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘制造技术

本实用新型专利技术提供一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，包括承载盘本体；承载盘本体设有晶圆放置面；晶圆放置面呈四角为外凸圆角且四侧边内凹的平面状；承载盘本体设有五个晶圆放置槽，其中四个晶圆放置槽位于晶圆放置面的四角，另一个晶圆放置槽位于晶圆放置面的中心位置。本实用新型专利技术提供的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，将四角往外扩，将原本四个晶圆放置槽中间的位置放大，可增加第五个晶圆放置槽；往外扩大的承载盘本体，依然可承放于原本的托架上，并可放置于常规的受加热腔室之中。采用本实用新型专利技术提供的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，使原本一次生产四片晶圆，可以提升至一次生产五片晶圆，产能提升25％，达成增产的目标。

A Bearing Plate for the Production of Light Emitting Diode with Rapid Temperature Rising

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘
本技术涉及发光二极管加工
，特别涉及一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘。
技术介绍
发光二极管(LED)晶圆在做完薄膜工艺后，须以高温进行热应力的退火，以去除热应力残留。此工艺目前采用两种做法，一种是以炉管加热方式，另一种是以快速升温炉加热方式。炉管加热方式的加热时间长，并且是在大气常压的环境下进行，晶圆上的薄膜层极容易被炉管中的残留氧气所氧化。但因为晶圆是放置于晶舟(BOAT)上，因此晶舟的长度可以配合加热炉管的恒温区长度设计，大量放置晶圆，生产量大。快速升温炉加热方式是以一个高导热材质的精密陶瓷例如碳化硅材料制作成承载盘，上面放置晶圆，并以托架托住承载盘放置于加热腔室内，抽真空后进行加温。此方式可以达成快速且无氧气的环境下对晶圆进行加热退火去除热应力，生产出的晶圆的质量高。专利CN201410457248.0公开了一种LED芯片退火装置，其中记载了现有承载盘大多为方形，其晶圆放置槽数包括4×4或2×2等规格。4×4规格承载盘用于放置直径2寸的晶圆，可以放置16片；2×2规格承载盘用于放置直径4寸的晶圆，可以放置4片。如图1所示，传统用于承载直径4寸晶圆的正方形状的承载盘上设有4个晶圆放置槽，以2X2的阵列分布，使用时，晶圆放置于承载盘的晶圆放置槽上，再将承载盘放置于承载盘托架上，最后放置于加热腔室之中。每个快速升温炉每次只能加热退火处理4片晶圆，效率低。由于设备昂贵，改动机台加热腔室尺寸是不现实的，这也就导致托盘的尺寸受限于加热腔室的尺寸，进而造成晶圆的承放量少。针对4寸晶圆退火用的承载盘，如何在现有承载盘尺寸受限条件下提高产能是本行业目前亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决
技术介绍
中提到现有用于承载直径4寸晶圆的承载盘采用2×2规格承载盘，产能低的问题。本技术提供一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，包括承载盘本体；所述承载盘本体设有晶圆放置面；所述晶圆放置面呈四角为外凸圆角且四侧边内凹的平面状；所述承载盘本体设有五个晶圆放置槽，其中四个晶圆放置槽位于所述晶圆放置面的四角，另一个晶圆放置槽位于所述晶圆放置面的中心位置。进一步地，所述晶圆放置槽为圆槽；所述晶圆放置槽的尺寸与直径为4寸晶圆相匹配。进一步地，所述晶圆放置槽的中心沿所述晶圆放置面的对角线分布。进一步地，所述承载盘本体由碳化硅材料制成。本技术提供的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，通过将四角往外扩，将原本四个晶圆放置槽中间的位置放大，即可增加第五个晶圆放置槽；往外扩大的承载盘本体，依然可以承放于原本的托架上，并可放置于常规的受加热腔室之中。采用本技术提供的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，使原本一次生产四片晶圆，可以提升至一次生产五片晶圆，产能提升25％，达成增产的目标。本技术通过改变传统承载盘的形状和尺寸，获得一种能够放置5片晶圆的承载盘，不用对退火设备进行改动，利用最小的改动成本提高了产能。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有的2×2规格承载盘的使用示意图；图2为本技术提供的光二极管快速升温生产工艺用承载盘的结构示意图；图3为图2的承载盘的使用示意图。附图标记：10承载盘本体11晶圆放置面12晶圆放置槽20晶圆30承载盘托架40加热腔室具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。图2为本技术提供的光二极管快速升温生产工艺用承载盘的结构示意图；如图2所示，一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，包括承载盘本体10；所述承载盘本体10设有晶圆放置面11；所述晶圆放置面11呈四角为外凸圆角且四侧边内凹的平面状；所述承载盘本体10设有五个晶圆放置槽12，其中四个晶圆放置槽12位于所述晶圆放置面11的四角，另一个晶圆放置槽12位于所述晶圆放置面11的中心位置。优选地，所述晶圆放置槽12为圆槽；所述晶圆放置槽12的尺寸与直径为4寸晶圆相匹配。优选地，所述晶圆放置槽12的中心沿所述晶圆放置面11的对角线分布。具体实施时，如图2所示，本技术提供的承载盘本体10是在传统的承载盘基础上进行改进，正方形的承载盘的四角外扩，使得承载盘本体10的晶圆放置面11呈四角为外凸圆角且四侧边内凹的平面状；承载盘本体10上设有五个凹槽为晶圆放置槽12，其中四个晶圆放置槽12分布于晶圆放置面11的四角，另一个晶圆放置槽12位于晶圆放置面11的中心位置，晶圆放置槽12的中心沿晶圆放置面11的对角线分布；因为晶圆20为圆片，晶圆放置槽12的形状最佳设计为圆槽状，一方面使得晶圆20与晶圆放置槽12形状尺寸相匹配，晶圆20放置于晶圆放置槽12内时，晶圆20不易受承载盘本体10的晃动发生偏移；另一方面可以减少承载盘本体10不必要的尺寸。承载盘本体10的最大宽度小于加热腔室40的长和宽，保证承载盘本体10能够放置于加热腔室40内。本技术提供的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，通过将四角往外扩，将原本四个晶圆放置槽中间的位置放大，即可增加第五个晶圆放置槽；往外扩大的承载盘本体，依然可以承放于原本的托架上，并可放置于常规的受加热腔室之中。采用本技术提供的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，使原本一次生产四片晶圆，可以提升至一次生产五片晶圆，产能提升25％，达成增产的目标。本技术提供的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘通过改变传统承载盘的形状和尺寸，获得一种能够放置5片晶圆的承载盘，不用对退火设备进行改动，利用最小的改动成本提高了产能。优选地，所述承载盘本体10由碳化硅材料制成。具体实施时，承载盘本体10采用碳化硅材料制成，也可以采用其它高导热材质的精密陶瓷材料制成。本技术提供的光二极管快速升温生产工艺用承载盘的材料组分和制造工艺与现有的承载盘无差别。如图3所示，本技术还提供一种上述承载盘应用在发光二极管晶圆快速升温(RTA/RTP)退火处理的设备，该设备包括有快速升温炉、承载盘托架30和承载盘本体10；快速升温炉的升温速度每分钟大于200℃-300℃，升温时，加热腔室40密闭；承载盘托架30为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，其特征在于：包括承载盘本体(10)；所述承载盘本体(10)设有晶圆放置面(11)；所述晶圆放置面(11)呈四角为外凸圆角且四侧边内凹的平面状；所述承载盘本体(10)设有五个晶圆放置槽(12)，其中四个晶圆放置槽(12)位于所述晶圆放置面(11)的四角，另一个晶圆放置槽(12)位于所述晶圆放置面(11)的中心位置。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，其特征在于：包括承载盘本体(10)；所述承载盘本体(10)设有晶圆放置面(11)；所述晶圆放置面(11)呈四角为外凸圆角且四侧边内凹的平面状；所述承载盘本体(10)设有五个晶圆放置槽(12)，其中四个晶圆放置槽(12)位于所述晶圆放置面(11)的四角，另一个晶圆放置槽(12)位于所述晶圆放置面(11)的中心位置。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺照纲，
申请(专利权)人：鋐源光电科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35