一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法及结构技术

本发明专利技术涉及一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，包括在SiC基衬底上生长第一缓冲层、在所述的第一缓冲层上生长第二缓冲层、在所述的第二缓冲层上生长势垒层，其特征在于：在所述的第一缓冲层生长所述的第二缓冲层之前，在所述的第一缓冲层上生长AlGaN插入层，所述的第二缓冲层生长在所述的AlGaN插入层上，所述的AlGaN插入层的生长厚度为5~100nm，在所述的AlGaN插入层中Al的组份为5%~50%。本发明专利技术通过引入AlGaN插入层成功实现了SiC基HEMT外延翘曲的灵活控制，可以通过控制AlGaN的厚度或者Al组分来灵活实现大范围增强或者减弱SiC基HEMT外延的应力。

Preparation and structure of a warpage-adjustable SiC-based HEMT

【技术实现步骤摘要】
一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法及结构
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法及结构。
技术介绍
HEMT(HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管)是一种异质结场效应晶体管，其广泛应用于各种电器内。HEMT外延结构是制备HEMT器件的基础，当前一种HEMT外延结构包括衬底与依次生长在衬底上的如成核层、缓冲层、势垒层、盖层等，其中衬底可为碳化硅衬底、蓝宝石衬底或单晶硅衬底等。目前业内SiC基异质外延的翘曲控制有多种方法，例如调试底层buffer等等，但是这些方法控制范围有限，不够灵活。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，包括在SiC基衬底上生长第一缓冲层、在所述的第一缓冲层上生长第二缓冲层、在所述的第二缓冲层上生长势垒层，其特征在于：在所述的第一缓冲层生长所述的第二缓冲层之前，在所述的第一缓冲层上生长AlGaN插入层，所述的第二缓冲层生长在所述的AlGaN本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，包括在SiC基衬底上生长第一缓冲层、在所述的第一缓冲层上生长第二缓冲层、在所述的第二缓冲层上生长势垒层，其特征在于：在所述的第一缓冲层生长所述的第二缓冲层之前，在所述的第一缓冲层上生长AlGaN插入层，所述的第二缓冲层生长在所述的AlGaN插入层上，所述的AlGaN插入层的生长厚度为5~100nm，在所述的AlGaN插入层中Al的组份为5%~50%。

【技术特征摘要】
1.一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，包括在SiC基衬底上生长第一缓冲层、在所述的第一缓冲层上生长第二缓冲层、在所述的第二缓冲层上生长势垒层，其特征在于：在所述的第一缓冲层生长所述的第二缓冲层之前，在所述的第一缓冲层上生长AlGaN插入层，所述的第二缓冲层生长在所述的AlGaN插入层上，所述的AlGaN插入层的生长厚度为5~100nm，在所述的AlGaN插入层中Al的组份为5%~50%。2.根据权利要求1所述的一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，其特征在于：当所述的翘曲为>-10um并且<10um时，所述的AlGaN插入层的生长厚度为5~100nm，在所述的AlGaN插入层中Al的组份为5%~50%。3.根据权利要求1所述的一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，其特征在于：该制备方法包括：将所述的SiC基衬底在1000℃-1200℃的H2氛围下烘烤5-10分钟，在1000℃~1100℃的温度下通入氨气、TMAl：在所述的SiC基衬底上生长所述的第一缓冲层，在1000℃~1100℃的温度下同时通入氨气、TMGa以及TMAl：在所述的第一缓冲层上生长所述的AlGaN插入层，在1000℃~1100℃的温度下通...

【专利技术属性】
技术研发人员：李仕强，王东盛，李亦衡，张葶葶，朱廷刚，
申请(专利权)人：江苏能华微电子科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32