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本发明涉及一种翘曲可调的SiC基HEMT结构的制备方法，包括在SiC基衬底上生长第一缓冲层、在所述的第一缓冲层上生长第二缓冲层、在所述的第二缓冲层上生长势垒层，其特征在于：在所述的第一缓冲层生长所述的第二缓冲层之前，在所述的第一缓冲层上生长...
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