氮化镓器件制作方法及氮化镓器件技术

本申请提供一种氮化镓器件制作方法，首先在衬底上形成沟道层，并在沟道层上形成势垒层且基于势垒层形成欧姆接触区域。然后，在势垒层上的欧姆接触区域蒸镀形成多层欧姆金属层。最后，在多层欧姆金属层上形成第一粘接层及至少一层阻挡层，其中，该至少一层阻挡层通过第一粘接层粘接于多层欧姆金属层上，且阻挡层的熔点大于对欧姆金属层进行退火处理所需的温度值。如此，通过粘接层实现层级之间的粘接，以避免层级之间脱落。且通过在多层欧姆金属层上形成热稳定性好的阻挡层，可利用阻挡层限制因退火处理造成的欧姆金属层的堆积及外扩，进而改善最终形成的欧姆金属表面形貌。另外，本申请还提供一种上述制作方法制作形成的氮化镓器件。

Fabrication of GaN Devices and GaN Devices

【技术实现步骤摘要】
氮化镓器件制作方法及氮化镓器件
本专利技术涉及微电子
，具体而言，涉及一种氮化镓器件制作方法及氮化镓器件。
技术介绍
GaN作为第三代半导体材料，在功率器件中的应用受到广泛的关注。其中，基于AlGaN/GaN异质结结构的HEMT(Highelectronmobilitytransistors，高电子迁移率晶体管)具有诸多优点，例如高频、高功率密度以及高工作温度等，是固态微波功率器件和功率电子器件的发展方向。优异的欧姆接触是实现高性能GaN器件的基础，优异的欧姆接触要求具有较低的欧姆接触电阻率和良好的欧姆接触形貌。Ti/Al/Ni/Au是目前应用最广泛的GaNHEMT欧姆接触金属结构之一，通过合金与GaN基形成欧姆接触。但是，传统欧姆合金温度一般较高(>700℃)，铝金属在该环境下的合金过程中，处于熔融状态，容易与Ti、Au等金属聚合，形成欧姆接触金属的堆积及外扩，从而使得形成的欧姆金属表面粗糙，进而影响器件特性。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的在于，提供一种氮化镓器件制作方法及氮化镓器件以改善上述问题。本申请实施例提供一种氮化镓器件制作方法，所述方法包括：提供一衬底；在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化镓器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成沟道层；在所述沟道层远离所述衬底的一侧形成势垒层，在所述势垒层上形成欧姆接触区域；在所述势垒层上蒸镀形成多层欧姆金属层，所述多层欧姆金属层沉积于所述势垒层的欧姆接触区域；在所述多层欧姆金属层上形成一第一粘接层及至少一层阻挡层，其中，所述至少一层阻挡层通过所述第一粘接层粘接于所述多层欧姆金属层上，所述阻挡层的熔点大于对所述多层欧姆金属层进行退火处理所需的温度值，以在退火处理时通过所述阻挡层限制所述多层欧姆金属层堆积及外扩。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成沟道层；在所述沟道层远离所述衬底的一侧形成势垒层，在所述势垒层上形成欧姆接触区域；在所述势垒层上蒸镀形成多层欧姆金属层，所述多层欧姆金属层沉积于所述势垒层的欧姆接触区域；在所述多层欧姆金属层上形成一第一粘接层及至少一层阻挡层，其中，所述至少一层阻挡层通过所述第一粘接层粘接于所述多层欧姆金属层上，所述阻挡层的熔点大于对所述多层欧姆金属层进行退火处理所需的温度值，以在退火处理时通过所述阻挡层限制所述多层欧姆金属层堆积及外扩。2.根据权利要求1所述的氮化镓器件制作方法，其特征在于，所述阻挡层为多层，相邻两层阻挡层通过第二粘接层粘接在一起。3.根据权利要求2所述的氮化镓器件制作方法，其特征在于，所述在所述多层欧姆金属层上形成一第一粘接层及至少一层阻挡层的步骤，包括：在所述多层欧姆金属层通过蒸镀形成第一粘接层；基于所述第一粘接层依次蒸镀形成多层阻挡层以及至少一层第二粘接层，使所述阻挡层和所述第二粘接层交替间隔设置，且每个第二粘接层位于相邻的两层阻挡层之间。4.根据权利要求1或2所述的氮化镓器件制作方法，其特征在于，所述阻挡层由铂金、钯金、钼中的任意一种材料制作形成，或者由铂金、钯金、钼中的两种或以上材料的组合制作形成。5.根据权利要求1或2所述的氮化镓器件制作方法，其特征在于，所述粘接层由Ti金属材料制作形成。6.根据权利要求1或2所述的氮化镓器件制作方法，其特征在于，所述方法还包括：以设定温度对所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹鹏辉，林志东，刘胜厚，卢益锋，蔡仙清，许若华，杨健，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35