半导体存储器装置制造方法及图纸

技术编号:22103415 阅读:44 留言:0更新日期:2019-09-14 03:50
提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:第一凸起,沿第一方向设置;第二凸起,沿第一方向与第一凸起平行地设置;第一寄存器,与第一凸起连接;以及第二寄存器,与第二凸起连接。第一寄存器和第二寄存器顺序地连接并且形成移位寄存器。

Semiconductor memory device

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置本申请要求于2018年3月5日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0025758号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思的示例性实施例涉及一种半导体器件,更具体地,涉及一种半导体存储器装置。
技术介绍
随着半导体存储器技术进一步发展,半导体存储器装置的高速、高集成度和低电力进一步增加。半导体存储器装置的高速、高集成度和低电力会导致传统半导体存储器装置的意外故障。例如,半导体存储器装置的高速、高集成度和低电力可能阻碍半导体存储器装置的内部电压达到目标电平。半导体存储器装置的高速会导致在与时钟信号同步变化的内部电压达到其目标电平之前开始时钟信号的下一周期。半导体存储器装置的高集成度会导致由于半导体存储器装置的内布线之间的空间(或间隔)变得更窄而使内部电压达不到其目标电平。半导体存储器装置的低电力会影响将内部电压驱动到目标电平的能力,这会导致内部电压达不到其目标电平。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例,一种半导体存储器装置包括:第一凸起,沿第一方向设置;第二凸起,沿第一方向与第一凸起平行地设置;第一寄存器,与第一凸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置,所述半导体存储器装置包括:多个第一凸起,沿第一方向设置;多个第二凸起,沿第一方向与第一凸起平行地设置;多个第一寄存器,与第一凸起连接;以及多个第二寄存器,与第二凸起连接,其中,多个第一寄存器和多个第二寄存器顺序地连接并且形成移位寄存器。

【技术特征摘要】
2018.03.05 KR 10-2018-00257581.一种半导体存储器装置,所述半导体存储器装置包括:多个第一凸起,沿第一方向设置;多个第二凸起,沿第一方向与第一凸起平行地设置;多个第一寄存器,与第一凸起连接;以及多个第二寄存器,与第二凸起连接,其中,多个第一寄存器和多个第二寄存器顺序地连接并且形成移位寄存器。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,多个第一寄存器沿第一方向彼此顺序地连接。3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,多个第一寄存器中的一个第一寄存器的输出与多个第二寄存器中的一个第二寄存器的输入连接,其中,所述一个第一寄存器在多个第一寄存器之中位于第一方向上的最后位置处,所述一个第二寄存器在多个第二寄存器之中位于第一方向上的最后位置处。4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,多个第二寄存器沿与第一方向相反的方向彼此顺序地连接。5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,多个第二寄存器中的一个第二寄存器的输出与多个第一寄存器中的一个第一寄存器的输入连接,其中,所述一个第二寄存器在多个第二寄存器之中位于与第一方向相反的方向上的最后位置处,所述一个第一寄存器在多个第一寄存器之中位于与第一方向相反的方向上的最后位置处。6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,在第一操作模式下,多个第一寄存器和多个第二寄存器被配置为用作线性反馈移位寄存器并且被配置为生成伪随机图案。7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置,其中,伪随机图案通过多个第一凸起和多个第二凸起输出到外部装置。8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,其中,在第二操作模式下,多个第一寄存器和多个第二寄存器被配置为用作多输入移位寄存器并且被配置为处理输入图案。9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置,其中,通过多个第一凸起和多个第二凸起从外部装置接收输入图案。10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置,所述半导体存储器装置还包括:存储器核,包括存储器单元,其中,通过多个第一凸起和多个第二凸起接收的数据被传输到多个第一寄存器、多个第二寄存器和存储器核。11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置,所述半导体存储器装置还包括:复用器,被配置为将来自存储器核的第一数据或来自多个第一寄存器和多个第二寄存器的第二数据传输到多个第一凸起和多个第二凸起。12.一种半导体存储器装置,所述半导体存储器装置包括:多个第一凸起,沿第一方向设置;多个第二凸起,沿第一方向与多个第一凸起平行地设置;多个第一寄存器,与多个第一凸起连接;以及多个第二寄存器,与多个第二凸起连接,其中,多个第一寄存器和多个第二寄存器中的特定寄存器的输出与一个寄存器的输入连接,所述一个寄存器是多个第一寄存器中的一个第一寄存器和多个第二寄存器中的一个第二寄存器之一,其中,所述一个第一寄存器在多个第一寄存器之中最靠近所述特定寄存器,所述一个第二寄存器在多个第二寄存器之中最靠近所述特定寄存器,并且其中,多个第一寄存器和多个第二寄存器形成移位寄存器。13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置,其中,多个第一凸起和多个第二凸起位于半导体存储器装置的底表面上,其中,多个第一寄存器和多个第二寄存器位于半导体存储器装置的内部,并且其中,多...

【专利技术属性】
技术研发人员:李贤义柳慧承尹元柱
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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