用于决定非挥发性内存中位值的方法和系统技术方案

本发明专利技术揭露一种用于决定具有数个记忆单元的非挥发性内存中位值的方法与系统，其中每一个记忆单元用于储存一个位值。所述方法包含步骤：提供首次测试传感电压至所述些记忆单元并计算单元计数；提供另一个个测试传感电压至所述些记忆单元并计算本步骤与前步骤间单元计数的差异量；提供又一个个测试传感电压并计算本步骤与前步骤间单元计数的另一个个差异量；执行步骤N次；计算单元计数差额并指定索引数给每一群记忆单元；选择一个电压为更新传感电压。

Method and system for determining the median value of nonvolatile memory

【技术实现步骤摘要】
用于决定非挥发性内存中位值的方法和系统
本专利技术涉及一种用于决定非挥发性内存中位值的方法与系统，特别是涉及一种通过数个传感电压来使位值包含软决定数据，以决定非挥发性内存中位值的方法与系统。
技术介绍
最常用的非挥发性内存，诸如硬盘、带电可擦可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EEPROM)或闪存，可在一段时间储存数据而无须电力的硬件。尤其是闪存，其广泛用于便携式设备，便利人们的日常生活。我们可以在笔记本电脑、智能手机，甚至是多功能电子手表上看到它。闪存有两大类，NAND闪存和NOR闪存。尽管这些闪存的性能不同，但是维持信息，即位的逻辑0或逻辑1的基础是相同的。闪存将信息储存在数组的记忆单元中，所述些记忆单元由浮栅晶体管或电荷陷阱晶体管所构成。物理实体上，记忆单元有许多电子注入并由每个记忆单元的浮栅或电荷陷阱层保留。当需要读取所述信息时，应施加传感电压到记忆单元的控制栅极。如果记忆单元的阈值电压低于所述传感电压，储存在所述记忆单元中的数据为逻辑1，反之则为逻辑0。以上的描述是关于一个记忆单元的操作。在一个闪本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于决定具有多个记忆单元的非挥发性内存中位值的方法，每一个记忆单元用于储存一个位值，其特征在于，所述方法包含如下步骤：提供首次测试传感电压至所述些记忆单元并计算所述些记忆单元中具有的阈值电压高于所述首次测试传感电压的单元计数；提供异于所述首次测试传感电压的另一个测试传感电压至所述些记忆单元，并计算所述些记忆单元中具有的阈值电压高于本步骤所提供的传感电压的另一个单元计数及本步骤与前步骤间单元计数的差异量；如果前步骤中单元计数的该所述差异量是正值，提供高于前些步骤中最高的测试感测电压的又一个测试感测电压至该些记忆单元，或者如果前步骤中单元计数的该所述差异量是负值，提供低于前些步骤中最低的测...

【技术特征摘要】
2018.03.06 TW 1071074121.一种用于决定具有多个记忆单元的非挥发性内存中位值的方法，每一个记忆单元用于储存一个位值，其特征在于，所述方法包含如下步骤：提供首次测试传感电压至所述些记忆单元并计算所述些记忆单元中具有的阈值电压高于所述首次测试传感电压的单元计数；提供异于所述首次测试传感电压的另一个测试传感电压至所述些记忆单元，并计算所述些记忆单元中具有的阈值电压高于本步骤所提供的传感电压的另一个单元计数及本步骤与前步骤间单元计数的差异量；如果前步骤中单元计数的该所述差异量是正值，提供高于前些步骤中最高的测试感测电压的又一个测试感测电压至该些记忆单元，或者如果前步骤中单元计数的该所述差异量是负值，提供低于前些步骤中最低的测试感测电压的又一个测试感测电压至该些记忆单元，并计算所述记忆单元中具有的阈值电压高于本步骤提供的感测电压的又一个单元计数及本步骤与前步骤间单元计数的另一个差异量；执行上一个步骤N次；计算相邻两个测试传感电压之单元计数的差额并指定索引数给每一个群，所述群为具有阈值电压介于相同的相邻两个测试传感电压间、高于最高的测试传感电压或低于最低的测试传感电压的记忆单元；选择在上一个步骤中产生最少差额的相邻两个测试传感电压间的电压为更新传感电压；当所述记忆单元的阈值电压低于所述更新传感电压时，决定所述记忆单元的位值为带有对应索引数的逻辑1，或当所述记忆单元的阈值电压高于所述更新传感电压时，决定所述记忆单元的位值为带有对应索引数的逻辑0。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包含如下步骤：检查逻辑1与0的信息是否能由一组错误检查和纠正译码程序译码，如果答案为否，则选择所述最少差额的相邻两个测试传感电压间的另一个电压为所述更新传感电压。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述记忆单元的阈值电压较低且低于所述更新传感电压时，所述记忆单元的位值具有较强逻辑1特性的软决定数据，且当所述记忆单元的阈值电压较高且高于所述更新传感电压时，所述记忆单元的位值具有较强逻辑0特性的软决定数据。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N为奇数。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述索引数作为对数似然比。6.一种用于决定具有多个记忆单元的非挥发性内存位值的方法，每一个记忆单元用于储存一个位值，其特征在于，所述方法包含如下步骤：提供首次测试传感电压至所述些记忆单元并计算所述些记忆单元中具有的阈值电压低于所述首次测试传感电压的单元计数；提供异于所述首次测试传感电压的另一个测试传感电压至所述些记忆单元，并计算所述些记忆单元中具有的阈值电压低于本步骤所提供的传感电压的另一个单元计数及本步骤与前步骤间单元计数的差异量；如果前步骤中单元计数的该所述差异量是负值，提供高于前些步骤中最高的测试感测电压的又一个测试感测电压至该些记忆单元，或者如果前步骤中单元计数的该所述差异量是正值，提供低于前些步骤中最低的测试感测电压的又一个测试感测电压至该些记忆单元，并计算所述记忆单元中具有的阈值电压低于本步骤提供的感测电压的又一个单元计数及本步骤与前步骤间单元计数的另一个差异量；执行上一个步骤N次；计算相邻两个测试传感电压之单元计数的差额并指定索引数给每一个群，所述群为具有阈值电压介于相同的相邻两个测试传感电压间、高于最高的测试传...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭祥恩，袁笙维，李厚鋆，
申请(专利权)人：深圳衡宇芯片科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44