The invention belongs to the technical field of integrated circuit design, in particular to a high-speed supercharged signal transmission switch, comprising a charge transfer MOSFET tube S, a gate voltage bootstrap supercharger circuit, a first NMOS tube M1, a second NMOS tube M2, a first PMOS tube M3, a first capacitor C1 and a second capacitor C2. The advantages are that the high-speed supercharged signal transmission switch provided by the invention overcomes the problem of limited signal swing in the existing signal transmission switch, and can be widely used in various signal processing circuits.
【技术实现步骤摘要】
高速增压型信号传输开关
本专利技术涉及一种用于电荷域流水线模数转换器的输入信号摆幅增强型电荷信号传输开关,属于集成电路
技术介绍
随着数字信号处理技术的不断发展,电子系统的数字化和集成化是必然趋势。然而现实中的信号大都是连续变化的模拟量,需经过模数转换变成数字信号方可输入到数字系统中进行处理和控制,因而模数转换器在未来的数字系统设计中是不可或缺的组成部分。在宽带通信、数字高清电视和雷达等应用领域,系统要求模数转换器同时具有非常高的采样速率和分辨率。这些应用领域的便携式终端产品对于模数转换器的要求不仅要高采样速率和高分辨率,其功耗还应该最小化。目前,能够同时实现高采样速率和高分辨率的模数转换器结构为流水线结构模数转换器。流水线结构是一种多级的转换结构,每一级使用低精度的基本结构的模数转换器,输入信号经过逐级的处理,最后由每级的结果组合生成高精度的输出。其基本思想就是把总体上要求的转换精度平均分配到每一级,每一级的转换结果合并在一起可以得到最终的转换结果。由于流水线结构模数转换器可以在速度、功耗和芯片面积上实现最好的折中,因此在实现较高精度的模数转换时仍然能保持较高的速度和较低的功耗。现有比较成熟的实现流水线结构模数转换器的方式是基于开关电容技术的流水线结构。基于该技术的流水线模数转换器中采样保持电路和各个子级电路的工作也都必须使用高增益和宽带宽的运算放大器。模数转换器的速度和处理精度取决于所使用高增益和超宽带宽的运算放大器负反馈的建立速度和精度。因此该类流水线结构模数转换器设计的核心是所使用高增益和超宽带宽的运算放大器的设计。这些高增益和宽带宽运算 ...
【技术保护点】
1.一种高速增压型信号传输开关,其特征是:包括一个电荷传输MOSFET管S、一个栅压自举增压电路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第一电容C1和第二电容C2;所述高速增压型信号传输开关对应连接关系为:第一NMOS管M1的栅端连接到电荷待传输节点Ni,即电荷传输MOSFET管S的源极,还连接到栅压自举增压电路的电压输入端;第一NMOS管M1的源端和衬底连接到地电平,第一NMOS管M1的漏端连接到第二NMOS管M2的源端;第二NMOS管M2的漏端连接到第一PMOS管M3的漏端和电荷传输MOSFET管S的栅端,第二NMOS管M2的栅端连接到第一偏置电压,第二NMOS管M2的衬底接地电平;第一PMOS管M3的栅端连接到第二偏置电压,第一PMOS管M3的源端和衬底连接到栅压自举增压电路的电压输出端;电荷传输目标节点No,即电荷传输MOSFET管S的漏极,通过第二电容C2接控制信号Ck1n;电荷待传输节点Ni通过第一电容C1接控制信号Ck1;电荷传输MOSFET管S的衬底连接到地电平;栅压自举增压电路的时钟输入端连接控制信号Ck1;其中,所述控制信号Ck1和控制信号Ck ...
【技术特征摘要】
1.一种高速增压型信号传输开关,其特征是:包括一个电荷传输MOSFET管S、一个栅压自举增压电路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第一电容C1和第二电容C2;所述高速增压型信号传输开关对应连接关系为:第一NMOS管M1的栅端连接到电荷待传输节点Ni,即电荷传输MOSFET管S的源极,还连接到栅压自举增压电路的电压输入端;第一NMOS管M1的源端和衬底连接到地电平,第一NMOS管M1的漏端连接到第二NMOS管M2的源端;第二NMOS管M2的漏端连接到第一PMOS管M3的漏端和电荷传输MOSFET管S的栅端,第二NMOS管M2的栅端连接到第一偏置电压,第二NMOS管M2的衬底接地电平;第一PMOS管M3的栅端连接到第二偏置电压,第一PMOS管M3的源端和衬底连接到栅压自举增压电路...
【专利技术属性】
技术研发人员:李晓蕴,
申请(专利权)人:广州领知信息技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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