一种硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料的制备方法。该方法通过采用预吸附‑后交联聚合的表面印迹法，将壳聚糖对As（Ⅴ）离子进行预吸附，再依次加入硅藻土、γ‑（2,3‑环氧丙氧基）丙基三甲氧基硅烷和环氧氯丙烷进行交联聚合反应12~18h，经干燥‑洗脱‑干燥，制得硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料，并用于水溶液中As（Ⅴ）离子的选择性去除。本发明专利技术制备的硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料成本低、环保、对模板离子具有高选择性、高识别性。

Preparation of As(V) Ion Imprinted Adsorbent on Diatomite Surface

【技术实现步骤摘要】
一种硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料的制备方法
本专利技术属于环境功能材料制备
，具体涉及一种硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料的制备方法。
技术介绍
As（Ⅴ）离子具有高毒性，对水生生物和人体易产生富集作用，导致致畸、致癌、致突变的“三致”危害。传统的治理方法中大都采用吸附法，具有成本低、操作简单的优势，但对目标离子缺乏针对性、盲目性大，因此研究开发一种对目标离子具有选择性分离的吸附材料显得尤其重要。离子印迹技术是当前制备高选择性材料的主要方法之一，印迹材料的传统制备方法是将模板离子、功能单体、交联剂、引发剂等按一定比例溶解于溶剂中，得到块状的聚合物，经模板离子的洗脱去除，研磨过筛，得到粒径均一的印迹颗粒。该方法所需装置简单、适用性强，但也存在一些问题：（1）模板离子包埋过深，不易洗脱；（2）印迹位点分布不均，传质速率下降；（3）研磨破环印迹位点，模板离子选择性下降。表面离子印迹是将识别位点建立在一种良好可接近性的基质材料表面，可以很好的解决以上传统印迹聚合的缺陷，有利于提高印迹材料对模板离子的选择性和识别性。硅藻土是一种天然矿产资源，具有价格低廉、无毒无害、疏松多孔、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）预吸附：将壳聚糖、十二水砷酸钠和甲醇水溶液按比例混合，用乙酸调节混合液pH值至3.5~5.5，超声分散均匀，室温下以300~400rpm的转速磁力搅拌30min，制得As（Ⅴ）吸附溶液；（2）交联聚合：将硅藻土、γ‑（2,3‑环氧丙氧基）丙基三甲氧基硅烷和环氧氯丙烷按比例依次加入到步骤（1）制得的As（Ⅴ）吸附溶液中，并在70℃恒温水浴中以400~500rpm的转速搅拌12~18h，取出冷却、洗涤、过滤，制得复合物；（3）干燥‑洗脱‑干燥：将步骤（2）制得的复合物在60℃真空干燥12h，取出后，用0.5mol/...

【技术特征摘要】
1.一种硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）预吸附：将壳聚糖、十二水砷酸钠和甲醇水溶液按比例混合，用乙酸调节混合液pH值至3.5~5.5，超声分散均匀，室温下以300~400rpm的转速磁力搅拌30min，制得As（Ⅴ）吸附溶液；（2）交联聚合：将硅藻土、γ-（2,3-环氧丙氧基）丙基三甲氧基硅烷和环氧氯丙烷按比例依次加入到步骤（1）制得的As（Ⅴ）吸附溶液中，并在70℃恒温水浴中以400~500rpm的转速搅拌12~18h，取出冷却、洗涤、过滤，制得复合物；（3）干燥-洗脱-干燥：将步骤（2）制得的复合物在60℃真空干燥12h，取出后，用0.5mol/L的氢...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勤桃，解庆林，陈南春，代俊峰，曾鸿鹄，梁延鹏，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西,45