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本发明公开了一种硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料的制备方法。该方法通过采用预吸附‑后交联聚合的表面印迹法，将壳聚糖对As（Ⅴ）离子进行预吸附，再依次加入硅藻土、γ‑（2,3‑环氧丙氧基）丙基三甲氧基硅烷和环氧氯丙烷进行交联聚合反应12~...
该专利属于桂林理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过桂林理工大学授权不得商用。

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